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부품번호 | EMC04N08F 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
75V
D
RDSON (MAX.)
4.4mΩ
ID 86A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMC04N08F
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=90A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
±30
86
54
200
90
405
202
56
22
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=38V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=75V N-CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2.2
62.5
°C / W
2016/11/7
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
On‐Region Characteristics
VG S = 10V
200
8.0V
7.0V
150
100
50
0
0 12 345
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
1.9
On‐Resistance Variation with Temperature
I D = 24A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25
0 25
50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature ( °C )
120
Transfer Characteristics
VD S = 10V
100
TA = ‐55°C
25°C
80
125°C
60
40
20
0
2
3 45
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
6
2016/11/7
EMC04N08F
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
VG S = 7.0 V
8.0 V
10 V
50 100 150
I D ‐ Drain Current( A )
200
250
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
2
100
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 24 A
TA = 125°C
TA = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
10
10 VG S = 0V
1
0.1 T A = 125°C 25°C
0.01
‐55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMC04N08E | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMC04N08F | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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