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부품번호 | EMB16N06CS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
60V
D
RDSON (MAX.)
16mΩ
ID 42A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2016/8/15
EMB16N06CS
LIMITS
±20
42
26
100
20
20
10
50
20
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
2.5
75
UNIT
°C / W
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
On‐Region Characteristics
VG S = 10V
40
8.0V
7.0V
30
5.0V
20
10
4.5V
0
012
34 5
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 20A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Temperature ( °C )
60
Transfer Characteristics
VD S = 10V
50
40
30
20
T A = ‐55°C
125°C
25°C
10
0
2
3 45
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
6
2016/8/15
EMB16N06CS
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
VG S = 4.5 V
1.5
1.4
1.3 5.0 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0
7.0 V
8.0 V
10 V
10 20 30
I D ‐ Drain Current( A )
40
50
0.045
0.040
0.035
0.030
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
2
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 10 A
TA = 125°C
TA = 25°C
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG S = 0V
1
0.1 T A = 125°C 25°C
0.01
‐55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB16N06CS | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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