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EME07N02A 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EME07N02A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EME07N02A 자료 제공

부품번호 EME07N02A 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EME07N02A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EME07N02A 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
15V 
D
RDSON (MAX.) 
7mΩ 
ID  65A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EME07N02A
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=35A, RG=25Ω 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
PD 
Tj, Tstg 
±8 
65 
41 
160 
35 
61.25 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=20A, Rated VDS=15V N-CH 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
375°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2016/2/25 
 
 
2.5 
°C / W 
75 
p.1 




EME07N02A pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
 
100
 
  80
VGS = 4.5V
  60
 
  40
 OnRegion Characteristics
2.5V
  20
 
0
 0
 
1.8V
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VDS, DrainSource Voltage( V )
3.0
 
  1.5 OnResistance Variation with Temperature
  ID= 18A
1.4 VGS= 4.5V
  1.3
  1.2
  1.1
  1.0
0.9
  0.8
  0.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
  TJ, Junction Temperature(°C)
 
 
  Transfer  Characteristics
100
  VDS= 5V
  80
TA= -55°C
25°C
  60
125°C
  40
 
20
 
 
0
1.0 2.0 3.0
4.0 5.0 6.0
  VGS, GateSource Voltage( V )
 
 
 
2016/2/25 
  EME07N02A
 OnResistance Variation with
 Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4 VGS = 1.8V
1.2
2.5V
1.0 4.5V
0.8
0 10 20 30 40
ID, Drain Current( A )
50
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.025
0.020
ID=10A
0.015
0.010
0.005
TA= 125°C
TA= 25°C
0
0 1.25 2.50 3.75 5.00
VGS, GateSource Voltage( V )
B o d y D io d e Fo rw ard  V o ltage  V ariatio n
w ith  So u rce  C u rre nt an d  Te m p e ratu re
100
10 VG S   = 0V
1
0.1
0.01
T A  = 125°C 25°C
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D  ‐ Body D iode Forw ard Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지












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