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부품번호 | EME07N02A 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
15V
D
RDSON (MAX.)
7mΩ
ID 65A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EME07N02A
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=35A, RG=25Ω
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
±8
65
41
160
35
61.25
50
20
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=20A, Rated VDS=15V N-CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
375°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2016/2/25
2.5
°C / W
75
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
80
VGS = 4.5V
60
40
On‐Region Characteristics
2.5V
20
0
0
1.8V
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
VDS, Drain‐Source Voltage( V )
3.0
1.5 On‐Resistance Variation with Temperature
ID= 18A
1.4 VGS= 4.5V
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
TJ, Junction Temperature(°C)
Transfer Characteristics
100
VDS= 5V
80
TA= -55°C
25°C
60
125°C
40
20
0
1.0 2.0 3.0
4.0 5.0 6.0
VGS, Gate‐Source Voltage( V )
2016/2/25
EME07N02A
On‐Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4 VGS = 1.8V
1.2
2.5V
1.0 4.5V
0.8
0 10 20 30 40
ID, Drain Current( A )
50
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.025
0.020
ID=10A
0.015
0.010
0.005
TA= 125°C
TA= 25°C
0
0 1.25 2.50 3.75 5.00
VGS, Gate‐Source Voltage( V )
B o d y D io d e Fo rw ard V o ltage V ariatio n
w ith So u rce C u rre nt an d Te m p e ratu re
100
10 VG S = 0V
1
0.1
0.01
T A = 125°C 25°C
‐55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body D iode Forw ard Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EME07N02A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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