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부품번호 | EMB08N06A 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
60V
D
RDSON (MAX.)
8mΩ
ID 60A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB08N06A
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1,3
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=60A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
±20
60
35
170
60
180
90
50
20
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=60V N-CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
3Pulsed drain current rating is package limited.
2.5
°C / W
75
2015/7/15
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
On‐Region Characteristics
VG S = 10V
80
8.0V
60
40
20
7.0V
5.0V
4.5V
0
012
345
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = 40A
VG S = 10V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
TJ ‐ Junction Temperature ( °C )
120
Transfer Characteristics
VD S = 10V
100
80
T A = ‐55°C
25°C
125°C
60
40
20
0
2
3 45
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
6
2015/7/15
EMB08N06A
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.7
1.6
VG S = 4.5 V
1.5
1.4
1.3 5.0 V
1.2
1.1
1.0
0.9
0
7.0 V
8.0 V
10 V
20 40 60
I D ‐ Drain Current( A )
80
100
0.018
0.016
0.014
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = 20 A
0.012
0.010
0.008
0.006
TA = 125°C
TA = 25°C
0.004
0.002
2
46
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG S = 0V
1
0.1 T A = 125°C 25°C
0.01
‐55°C
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB08N06A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB08N06H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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