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부품번호 | EMB02N60CSB 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
600V
D
RDSON (MAX.)
4.0Ω
ID 2A
G
UIS, 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 3mH, ID=2A, RG=25Ω
L = 0.5mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2015/3/27
EMB02N60CSB
LIMITS
±20
2
1.25
8
2
6
1
30
12
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
4.2
110
UNIT
°C / W
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
EMB02N60CSB
5
Typical Output Characteristics
A llo w a b le P o w e r D issip a tio n
60
4
3
2 Vgs=20V
10V
8V
7.5V
1 7V
50
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc , C a s e T e m p e r a t u r e ( ° C )
1.8
Gate Threshold Voltage v.s. Temperature
6.0
1.6
5.0
1.4
1.2
4.0
3.0
1.0
2.0
0.8
1.0
0.6
‐50
‐25
0 25 50 75 100 125 150
0
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Junction Temperature(°C )
Tj ,Junction Temperature(°C )
Body Diode Forward Voltage Variation
Transfer Characteristics
5
with Source Current and Temperature
100
V D S = 10V
4
T A = ‐55 °C
25 °C
VG S = 0V
10
3
125 °C
1 T A = 125°C 25°C
2
1
0.1 ‐55°C
0.01
0
1
23
45
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
6
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
2015/3/27
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB02N60CSB | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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