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EMC09N08E PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 EMC09N08E
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
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EMC09N08E 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
75V 
D
RDSON (MAX.) 
9mΩ 
ID 
103A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.3mH, ID=60A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/5/25 
EMC09N08E
LIMITS 
±30 
103 
80 
200 
68 
540 
180 
223 
89 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
0.56 
60 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMC09N08E pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
  100
VG  S = 10V
OnRegion Characteristics
  80
 
8.0V
7.0V
  60
  40
 
20
 
 0
01
2
345
  VD S  ‐ Drain Source Voltage( V )
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 30A
VG  S = 10V
1.6
 
  1.3
  1.0
 
  0.7
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125 150
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  60
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
50
 
40
 
T A  = ‐55°C
25°C
  30
  20
125°C
  10
 0
2
 
3 45
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
6
 
 
 
 
 
2015/5/25 
  EMC09N08E
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4 VG  S  = 7.0 V
1.2
1.0
8.0 V
10 V
0.8
0 20 40 60
I D  ‐ Drain Current( A )
80
100
0.040
0.035
0.030
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 15 A
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0
2
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
100
10 VG  S  = 0V
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
1
0.1 TA   = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지













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