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부품번호 | EMDJ0N20J 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
200V
D
RDSON (MAX.)
1Ω
ID 0.5A G
Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐ Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
2015/4/15
EMDJ0N20J
LIMITS
±30
0.5
0.3
2
125
0.8
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
100
UNIT
°C / W
p.1
10
Gate Charge Characteristics
I D = 0.25A
8
6
VD S = 50V
100V
4
2
0
01 2 34
Q g ‐ Gate Charge( nC )
5
10
M a x im u m S a fe O p e ra tin g A re a
R D S (O N )L im it
1
0.1
10uS
100uS
1mS
DC
1
00
m
10m
S
S
0 .1 0
V G S = 1 0 V
S in g le P u lse
0 .0 0 1
R JA = 1 0 0 ° C / W
T A = 2 5 ° C
1 10 100
V D S ‐ D r a i n ‐ S o u r c e V o l t a g e ( V )
1000
1
0.5 D=0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05 0.02
0.01
0.02
Single Pulse
Transient Thermal Response Curve
0.01
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
t1, Time( sec )
2015/4/15
EMDJ0N20J
300
300
Ciss
200
Capacitance Characteristics
f = 1MHz
VG S = 0 V
100
Coss
0 Crss
0
25 50 75
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
SINGLE PULSE
VGS= 10V
4
RθJA=100°C/W
TA=25°C
3
2
1
0
0.1 1 10 100 1000
Single Pulse Time( sec )
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=100°C/W
t1
t2
TJ‐TA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
10 100 300
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMDJ0N20A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMDJ0N20G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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