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부품번호 | EMB03N03HR 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
3.0mΩ
ID 75A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB03N03HR
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH, ID=58A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.05mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
±20
75
45
160
58
168
84
50
20
‐55 to 150
V
A
mJ
W
°C
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2.5
°C / W
50
2015/1/8
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
On‐Region Characteristics
VG S =10V
7V
160
5V
4.5V
120
80
40
0
0 0.5
1 1.5
2 2.5
V D S ,Drain‐Source Voltage( V )
3
1.8
On‐Resistance Variation with Temperature
ID = 30A
1.6 VG S = 10V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
‐50 ‐25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Junction Temperature(°C )
100
V D S = 10V
80
Transfer Characteristics
T A = ‐55 °C
25 °C
125 °C
60
40
20
0
0
1
23
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
4
5
2015/1/8
EMB03N03HR
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG S = 4.5V
1.5
5V
7V
1.0 10V
0.5
0 20 40 60 80
I D ,Drain Current( A )
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.025
I D = 25A
0.020
100
0.015
0.010
0.005
0
2
60
10 VG S = 0V
TA = 125° C
TA = 25° C
468
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
10
1
0.1
0.01
0.001
TA = 125°C 25°C
‐55°C
0.0001 0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2
VS D ,Body Diode forward Voltage( V )
1.4
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB03N03H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB03N03HR | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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