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EMB03N03HR 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB03N03HR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB03N03HR 자료 제공

부품번호 EMB03N03HR 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB03N03HR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EMB03N03HR 데이터시트, 핀배열, 회로
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.0mΩ 
ID  75A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03N03HR
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
L = 0.1mH, ID=58A, RG=25Ω
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
±20 
75 
45 
160 
58 
168 
84 
50 
20 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2015/1/8 
p.1 




EMB03N03HR pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
  200
OnRegion Characteristics
  VG  S =10V
7V
  160
5V
4.5V
 
120
 
  80
 
  40
 
0
 
0 0.5
1 1.5
2 2.5
V D S ,DrainSource Voltage( V )
3
 
  1.8
OnResistance Variation with Temperature
  ID   = 30A
1.6 VG  S = 10V
 
  1.4
  1.2
 
1.0
 
  0.8
  0.6
50 25
0 25 50 75 100 125 150
  Tj ,Junction Temperature(°C )
 
  100
  V D S = 10V
  80
Transfer Characteristics
T A  = ‐55 °C
25 °C
125 °C
 
60
 
  40
 
  20
 
0
 0
1
23
VG  S ,GateSource Voltage( V )
4
5
 
 
 
2015/1/8 
  EMB03N03HR
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG S  = 4.5V
1.5
5V
7V
1.0 10V
0.5
0 20 40 60 80
I D  ,Drain Current( A ) 
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.025
I D  = 25A
0.020
100
0.015
0.010
0.005
0
2
60
10 VG S  = 0V
TA   = 125° C
TA   = 25° C
468
VG  S ,GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
10
1
0.1
0.01
0.001
TA  = 125°C 25°C
55°C
0.0001 0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2
VS D  ,Body Diode forward Voltage( V )
1.4
p.4 

4페이지












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