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부품번호 | EMB07N03HR 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
30V
D
RDSON (MAX.)
7mΩ
ID 50A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMB07N03HR
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
50
35
140
Avalanche Current
IAS 37.5
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω
L = 0.05mH
EAS
EAR
70
15
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
50
20
‐55 to 150
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
V
A
mJ
W
°C
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2.5
°C / W
50
2014/12/1
p.1
TYPICAL CHARACTERISTICS
EMB07N03HR
100
VG S = 10V
On‐Region Characteristics
80
7V 6V
5V
60
4.5V
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
VG S = 4.5V
40
20
5V
1.2
6V
7V
1.0 10V
0 0.8
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
0 20 40 60 80 100
I D ,Drain Current( A )
On‐Resistance Variation with Temperature
1.8
I D = 25A
1.6 VG S = 10V
1.4
0.025
0.020
0.015
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
ID = 20A
1.2
1.0
0.010
0.8
0.005
0.6
‐50
‐25
0 25 50 75 100 125 150
Tj ,Ju n ctio n T e m p e ra tu re (°C )
0
2
TA = 125° C
TA = 25° C
468
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
10
50
Transfer Characteristics
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
60
V D S = 10V
40
T A = ‐55 °C
25 °C
10 VG S = 0V
30
20
10
125 °C
1
0.1
0.01
0.001
TA = 125°C
25°C
‐55°C
0
012
3
4
5
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 1.2 1.4
VG S ,Gate‐Source Voltage( V )
VS D ,Body Diode Forward Voltage( V )
2014/12/1
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB07N03HR | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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