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부품번호 | EMB45N06G 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
60V
D
RDSON (MAX.)
45mΩ
ID 6.5A G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy2
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω
L = 0.05mH
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
EAR
PD
Tj, Tstg
EMB45N06G
LIMITS
±20
6.5
5
26
10
5
2.5
2.5
1
‐55 to 150
UNIT
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient3
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2012/10/25
TYPICAL
MAXIMUM
25
50
UNIT
°C / W
p.1
On‐Region Characteristics
25
VG S = 10V
7V 6V
5V
20
15
10
5
0
0
12 3
VD S ‐ Drain‐Source Voltage( V )
4
On‐Resistance Variation with Temperature
2.2
2.0
I D = 6A
V G S = 1 0 V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
T J ‐ Junction Tem perature (°C)
20
Transfer Characteristics
VD S = 5V
16
12
T A = ‐55° C
25° C
125° C
8
4
0
1 2 3 4 56
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
2012/10/25
EMB45N06G
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
V G S = 5.0 V
1.2 6.0 V
7.0 V
1.0
10 V
0.8
0 5 10 15 20 25
I D ‐ Drain Current( A )
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
0.14
I D = 3 A
0.12
0.10
0.08
T A = 125°C
0.06
0.04 T A = 25°C
0.02
0
24
6
8
VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG S = 0V
1
0.1
0.01
T A = 125°C
25°C
‐55°C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB45N06A | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB45N06G | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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