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PDF EMBA5N10G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBA5N10G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBA5N10G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
150mΩ 
ID  4A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=4A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMBA5N10G
LIMITS 
±20 
4 
2.8 
16 
4 
0.8 
0.4 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/10/8 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMBA5N10G pdf
  EMBA5N10G
 
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = 2A
 8
 
6
 
VD  S   = 50V 80V
 4
 
2
 
 0
0
 
8 16
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
24
1500
1350
1200
1050
Capacitance Characteristics
f  =  1M Hz
V  G S  = 0 V
Ciss
900
750
600
450
300 Coss
150
0 Crss
32 0 20 40 60 80 100
VD  S ‐ D rainSource Voltage( V )
 
 
100
 
M aximum Safe Operating Area
 
10
  R  D S  (O  N  )Limit
 1
 
  0.1
1001u0SuS
1mS
10mS
DC100mS
VG  S =  1 0 V
  Single Pulse
R   JA =  5 0 ° C / W
T A   =  2 5 ° C
  0.010.1 1 10 100 1000
VD  S  ‐ D r a in S o u r c e  V o lt a g e ( V  )
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
 
 1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
  0.2
0.1
  0.1
0.05
  0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/10/8 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBA5N10AN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5N10VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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