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부품번호 | EMBA3P03JS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐30V
D
RDSON (MAX.)
125mΩ
ID
‐3.1A
G
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Ambient3
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2015/7/15
EMBA3P03JS
LIMITS
±20
‐3.1
‐2.1
‐12
1.04
0.66
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
83
120
UNIT
°C / W
p.1
Gate Threshold Voltage v.s. Junction Temperature
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
‐50 0 50 100 150
TJ ‐ Junction Temperature ( °C )
M a xim u m S a fe O p e ra tio n A re a
100
10
R D S (O N )L IM IT
1
1m s 100 μ s
D
C
1
1
0s
s
100m
1
s
0m
s
0 .1
V G S = ‐ 1 0 V
S IN G LE P U LS E
0.01
R θ JA
TA =
=
2
1
5
66
°C
° C
/
W
0.1
1 10
‐ VD S , D r a in ‐ S o u r c e V o lt a g e ( V )
100
1
D=0.5
0.5
Transient Thermal Response Curve
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05 0.02
0.01
0.02 Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1, Time( sec )
2015/7/15
EMBA3P03JS
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5
Single Pulse
4 RθJA=166°C/W
TA=25°C
3
2
1
0
0.1 1
10 100 1000
Single Pulse Time( sec )
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA=166°C/W
t1
t2
TJ‐TA=P*RθJA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
10 100 300
p.4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMBA3P03JS | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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