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EMB80P03JS 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMB80P03JS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMB80P03JS 자료 제공

부품번호 EMB80P03JS 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMB80P03JS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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EMB80P03JS 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
85mΩ 
ID 
3.6A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient3 
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2015/7/15 
EMB80P03JS
LIMITS 
±20 
3.6 
2.5 
14 
1.04 
0.66 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
83 
120 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMB80P03JS pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
EMB80P03JS
 
10
ID   = ‐ 3A
8
6
4
Gate Charge Characteristics
VD S  = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
2
0
0 2 4 6 8 10
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
Maximum Safe Operation Area
100
10
R D S ( O N  )LIMIT
1
0.1
VG  S = ‐10V
SINGLE PULSE
Rθ  J A = 166° C/W
0.01 TA  = 25° C
0.1
100 μ  s
10ms1ms
100ms
1s
10s
DC
1 10
VD S  ,DrainSource Voltage( V )
50
480
400
320
240
160
80
0
0
20
15
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1MHZ
VG  S = 0V
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ VD  S , DrainSource Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ  J A = 166°C/W
TA  = 25°C
10
5
0
0.001 0.01 0.1
1
10
t 1 ,Time ( SEC )
100
1000
Transient Thermal Response Curve
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
10 4
Single Pulse
103 102
101 1
t1  ,Time ( SEC )
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.Rθ  J A  =166°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2015/7/15 
p.4 

4페이지












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다운로드[ EMB80P03JS.PDF 데이터시트 ]

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