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부품번호 | EMB80P03JS 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐30V
D
RDSON (MAX.)
85mΩ
ID
‐3.6A
G
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate‐Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
PD
Tj, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction‐to‐Ambient3
RJA (T ≤ 10sec)
RJA (Steady State)
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
3The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
2015/7/15
EMB80P03JS
LIMITS
±20
‐3.6
‐2.5
‐14
1.04
0.66
‐55 to 150
UNIT
V
A
W
°C
MAXIMUM
83
120
UNIT
°C / W
p.1
EMB80P03JS
10
ID = ‐ 3A
8
6
4
Gate Charge Characteristics
VD S = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
2
0
0 2 4 6 8 10
Q g ‐ Gate Charge( nC )
Maximum Safe Operation Area
100
10
R D S ( O N )LIMIT
1
0.1
VG S = ‐10V
SINGLE PULSE
Rθ J A = 166° C/W
0.01 TA = 25° C
0.1
100 μ s
10ms1ms
100ms
1s
10s
DC
1 10
‐VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
50
480
400
320
240
160
80
0
0
20
15
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1MHZ
VG S = 0V
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ VD S , Drain‐Source Voltage( V )
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ J A = 166°C/W
TA = 25°C
10
5
0
0.001 0.01 0.1
1
10
t 1 ,Time ( SEC )
100
1000
Transient Thermal Response Curve
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
10 ‐4
Single Pulse
10‐3 10‐2
10‐1 1
t1 ,Time ( SEC )
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.Rθ J A =166°C/W
3.TJ ‐ TA = P * Rθ J A (t)
4.Rθ J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
2015/7/15
p.4
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMB80P03J | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
EMB80P03JS | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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