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EMF02P02H 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMF02P02H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 EMF02P02H 자료 제공

부품번호 EMF02P02H 기능
기능 Field Effect Transistor
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMF02P02H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 6 페이지수

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EMF02P02H 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
20V 
D
RDSON (MAX.) 
3.2mΩ 
ID 
100A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMF02P02H
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±12 
Continuous Drain Current1 
Pulsed Drain Current2 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
100 
73 
400 
Avalanche Current 
IAS  ‐100 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy3 
L = 0.1mH, ID=100A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
500 
250 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
69 
27 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=5V, IL=70A, Rated VDS=20V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient4 
RJA 
1Package Limited. 
2Pulse width limited by maximum junction temperature. 
3Duty cycle  1 
450°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
1.8 
°C / W 
50 
2016/3/15 
p.1 




EMF02P02H pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
50
10V 4.5V
3.0V
40 VG  S=2.5V
OnRegion Characteristics
30
20
10
0
0 0.5
1 1.5
2 2.5
VD S  ,DrainSource Voltage( V )
3
OnResistance Variation with Temperature
1.9
I D     = ‐ 20 A
VG S    = ‐ 4.5V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
50
25
0
25 50
75 100 125
T  J  ‐ Ju n c tio n  T e m p e ra tu re  (°C )
150
50
VDS = - 5V
40
30
20
Transfer Characteristics
125°C
25°C
10
0
0.5 1.0 1.5
2.0 2.5
-VGS - Gate-Source Voltage( V )
3.0
  EMF02P02H
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG S  = ‐2.5V
1.5
3.0V
4.5V
1.0 10V
0.5
0 10 20 30 40
I D  ,Drain Current( A ) 
50
0.014
0.012
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = ‐ 20A
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
T A  = 125°C
T A  = 25°C
0
02
4 6 8 10
‐ VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG  S  = 0V
1
0.1 T A  = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
2016/3/15 
p.4 

4페이지












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