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부품번호 | EMF02P02H 기능 |
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기능 | Field Effect Transistor | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary:
BVDSS
‐20V
D
RDSON (MAX.)
3.2mΩ
ID
‐100A
G
UIS, Rg 100% Tested
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
EMF02P02H
LIMITS
UNIT
Gate‐Source Voltage
VGS ±12
Continuous Drain Current1
Pulsed Drain Current2
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
‐100
‐73
‐400
Avalanche Current
IAS ‐100
Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy3
L = 0.1mH, ID=‐100A, RG=25Ω
L = 0.05mH
EAS
EAR
500
250
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
Tj, Tstg
69
27
‐55 to 150
100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐5V, IL=‐70A, Rated VDS=‐20V P‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
V
A
mJ
W
°C
UNIT
Junction‐to‐Case
RJC
Junction‐to‐Ambient4
RJA
1Package Limited.
2Pulse width limited by maximum junction temperature.
3Duty cycle 1%
450°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.
1.8
°C / W
50
2016/3/15
p.1
50
‐10V ‐4.5V
‐3.0V
40 VG S=‐2.5V
On‐Region Characteristics
30
20
10
0
0 0.5
1 1.5
2 2.5
‐VD S ,Drain‐Source Voltage( V )
3
On‐Resistance Variation with Temperature
1.9
I D = ‐ 20 A
VG S = ‐ 4.5V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
‐50
‐25
0
25 50
75 100 125
T J ‐ Ju n c tio n T e m p e ra tu re (°C )
150
50
VDS = - 5V
40
30
20
Transfer Characteristics
125°C
25°C
10
0
0.5 1.0 1.5
2.0 2.5
-VGS - Gate-Source Voltage( V )
3.0
EMF02P02H
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
3.0
2.5
2.0
VG S = ‐2.5V
1.5
‐3.0V
‐4.5V
1.0 10V
0.5
0 10 20 30 40
‐I D ,Drain Current( A )
50
0.014
0.012
On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
I D = ‐ 20A
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
T A = 125°C
T A = 25°C
0
02
4 6 8 10
‐ VG S ‐ Gate‐Source Voltage( V )
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG S = 0V
1
0.1 T A = 125°C 25°C
0.01
‐55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
‐VS D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
2016/3/15
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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EMF02P02H | Field Effect Transistor | Excelliance MOS |
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