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PDF EMB50P03VAT Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB50P03VAT
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB50P03VAT Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID 
4.5A 
G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
Bottom View
S DD
SD
GD D
PIN 1
SYMBOL 
EMB50P03VAT
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
±20 
4.5 
3.5 
18 
2.08 
1.33 
55 to 150 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
12 
°C / W 
60 
2015/7/23 
p.1 

1 page




EMB50P03VAT pdf
 
 
  EMB50P03VAT
 
  Gate Charge Characteristics
10
  I D  = ‐4.5A
 8
VD S   = ‐5V
10V
 6
15V
 
4
 
 2
 0
0 2 4 6 8 10 12
  Q g  ,Gate Charge( nC )
 
Maximum Safe Operating Area
  100
 
  10 R D S  (O  N  ) Limit
10μs
100μs
1ms
 
1
10ms
100ms
  1s
DC
 
0.1
  VG  S = ‐10V
Single Pulse
  R  J A  = 60°C/W
  T A  = 25°C
 
0.01
0.1 1 10 100
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1MHZ
VG S  = 0V
Coss
Crss
5 10 15 20 25 30
VD  S  DrainSource Voltage( V )
600
500
S in g le  P u lse  M a xim u m  P o w e r D issip atio n
S in g le  P u lse
Rθ  J A  =  6 0 ° C / W
T A   =   2 5 ° C
400
300
200
100
0
0 .0 0 0 0 1 0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
t  1  ,T im e   (   s e c  )
0 .1
1
 
1
 
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
 
0.2
 
0.1
0.1
  0.05
Notes:
  0.02
0.01
  0.01
 
Single Pulse
P DM
t1
t2
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J A  = 60°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
  4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
0.001
  10 5
104
103
10 2
101
1
10 100
t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
2015/7/23 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB50P03VATField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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