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부품번호 | EMS20D12E 기능 |
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기능 | Schottky Rectifier ( Diode ) | ||
제조업체 | Excelliance MOS | ||
로고 | |||
Dual High‐Voltage Trench Barrier Schottky Rectifier
Product Summary:
VRRM
VF @ IF=10A
IF(AV)
120V
0.61V
2 x 10A
Trench Schottky Technology
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Per device
Per diode
VRRM
IF(AV)
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sine‐wave
Superimposed on Rated Load per Diode
Operating Junction & Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
IFSM
Tj, Tstg
TYPICAL
Junction‐to‐Case
RJC
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
2015/3/25
EMS20D12E
LIMITS
120
20
10
110
‐40 to 150
UNIT
V
A
°C
MAXIMUM
2.8
UNIT
°C / W
p.1
Forw ard Current D erating Curve
24
20
16
12
8
4
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc ,C a s e T e m p e r a tu r e ( ° C )
100 Typical Reverse Characteristics Per Diode
10 150°C
125°C
1
0.1
0.01
TA= 25°C
0.001
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
P e rce n ta g e o f R a te d P e a k R e ve rse V o lta ge ( % )
T y p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e
10000
f = 1 M H z
T J = 2 5 °C
VS I G = 1 0 m VP ‐ P
1000
100
10
0.1 1
10 100
R e v e r s e V o l t a g e ( V )
T y p i c a l I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d
C h a r a c t e r i s t i c s P e r D i o d e
100
10 T A = 150°C
125°C 25°C
1
EMS20D12E
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d V o l t a g e ( V )
Forward Power Loss Characteristics Per Diode
14
D = 0.8
12
D = 0.5
D = 0.3
D = 1
10 D = 0.2
D = 0.1
8
6
4
2 t1 t2
0
D =
t1
t2
0
2
4
6
8
10 12 14
16 18
Average Forward Curret ( A )
Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1 1 10
t ‐ Pulse Duration( S )
100
2015/3/25
p.4
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
EMS20D12E | Schottky Rectifier ( Diode ) | Excelliance MOS |
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