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EMS20D12E 데이터시트 PDF




Excelliance MOS에서 제조한 전자 부품 EMS20D12E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EMS20D12E 자료 제공

부품번호 EMS20D12E 기능
기능 Schottky Rectifier ( Diode )
제조업체 Excelliance MOS
로고 Excelliance MOS 로고


EMS20D12E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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EMS20D12E 데이터시트, 핀배열, 회로
 
 
Dual HighVoltage Trench Barrier Schottky Rectifier 
Product Summary: 
VRRM 
VF @ IF=10A 
IF(AV) 
120V 
0.61V 
2 x 10A 
 
Trench Schottky Technology 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage 
Maximum Average Forward Rectified Current 
Per device
Per diode 
VRRM 
IF(AV) 
Peak Forward Surge Current 8.3mS Single Half Sinewave 
Superimposed on Rated Load per Diode 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
IFSM 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2015/3/25 
 
EMS20D12E
LIMITS 
120 
20 
10 
110 
40 to 150 
UNIT 
V 
A 
°C 
MAXIMUM 
2.8 
UNIT 
°C / W 
p.1 




EMS20D12E pdf, 반도체, 판매, 대치품
 
Forw ard Current D erating Curve
24
20
16
12
8
4
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc ,C a s e  T e m p e r a tu r e ( ° C   )
100 Typical Reverse Characteristics Per Diode
10 150°C
125°C
1
0.1
0.01
TA= 25°C
0.001
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
P e rce n ta g e  o f R a te d  P e a k  R e ve rse  V o lta ge ( %  )
T y p i c a l  J u n c t i o n  C a p a c i t a n c e
10000
f    = 1 M H z
T J  = 2 5 °C
VS  I  G = 1 0 m VP ‐ P
1000
100
10
0.1 1
10 100
R e v e r s e  V o l t a g e ( V )
 
T y p i c a l  I n s t a n t a n e o u s  F o r w a r d
C h a r a c t e r i s t i c s  P e r  D i o d e
100
10 T A  = 150°C
125°C 25°C
1
EMS20D12E
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I n s t a n t a n e o u s  F o r w a r d  V o l t a g e ( V )
Forward Power Loss Characteristics Per Diode
14
D = 0.8
12
D = 0.5
D = 0.3
D = 1
10 D = 0.2
D = 0.1
8
6
4
2 t1 t2
0
D =
t1
t2
0
2
4
6
8
10 12 14
16 18
Average Forward Curret ( A )
Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1 1 10
t ‐ Pulse Duration( S )
100
2015/3/25 
p.4 

4페이지












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