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WNM07N65F 데이터시트 PDF




Will Semiconductor에서 제조한 전자 부품 WNM07N65F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WNM07N65F 자료 제공

부품번호 WNM07N65F 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Will Semiconductor
로고 Will Semiconductor 로고


WNM07N65F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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WNM07N65F 데이터시트, 핀배열, 회로
WNM07N65/WNM07N65F
650V N-Channel MOSFET
Description
The WNM07N65/WNM07N65F is N-Channel
enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses
advanced high voltage MOSFET Process and
design to provide excellent RDS (ON) with low gate
charge. This device is suitable for use in popular
AC-DC applications, power switching application
and a wide variety of other applications.
WNM07N65/WNM07N65F
Features
650V@TJ=25°C
Typ.RDS(on)=1.0
Low gate charge
100% avalanche tested
100% Rg tested
D
GDS
TOT-O22- 0
FG
S
GD S
TO-220F
WNM07N65
CC
Y
W
=Devices code
= Special Code
=Year
=Week
WNM07N65F =Devices code
CC = Special Code
Y =Year
W =Week
Order Information
Device
Package
WNM07N65_3/T
TO-220
WNM07N65F_3/T
TO-220-F
Units/Tube
50
50
Absolution Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Parameter
Symbol WNM07N65
WNM07N65F
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
TC=25°C
Continuous Drain Current
TC=100°C
Pulsed Drain Current
Single Pulsed Avalanche Energy C
VDS 650
VGS ±30
7
ID
4.8
650
±30
7*
4.8*
IDM 28
EAS 124
Peak diode recovery dv/dt
dv/dt
5
Power Dissipation B
TC=25°C
156
PD
Derate above 25°C
1.24
34
0.27
Operating and Storage Temperature Range
TJ,TSTG
-55~150
Lead Temperature
Thermal Resistance Ratings
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Case to Sink
Maximum Junction-to-Case
TL
RθJA
RθCS
RθJC
260
65 65
0.5
0.8 3.6
*Drain current limited by maximum junction temperature.
Unit
V
A
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
°C/W
Will Semiconductor Ltd. 1 Dec, 2013 - Rev.1.0




WNM07N65F pdf, 반도체, 판매, 대치품
WNM07N65/WNM07N65F
10000
F=1MHZ
1000
100
10
Ciss
Coss
Crss
1
100
1 10
V -Drain to Source Voltage(V)
DS
Capacitance
100
10
1 150oC
0.1
0.01
25oC
1E-3
1E-4
1E-5
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V -Source to Drain Voltage(V)
SD
1.4
Body diode forward voltage
100
10 RDS(ON)
limited
1
0.1 TJ(Max)=150°C
TC=25°C
10µs
100µs
1ms
DC 10ms
0.01
1
10 100 1000
V -Drain to Source Voltage(V)
DS
Safe Operating Power (WNM07N65F)
10
RDS(ON)
limited
1
0.1 TJ(Max)=150°C
TC=25°C
DC
0.01
1
10 100
V -Drain to Source Voltage(V)
DS
Safe Operating Power (WNM07N65)
10µs
100µs
1ms
10ms
0.1s
1s
1000
10
V =480V, I =3.5A
DS D
8
6
4
2
0
0 4 8 12
Gate Charge(nC)
Gate charge Characteristics
16
Will Semiconductor Ltd.
4
20
Dec, 2013 - Rev.1.0

4페이지










WNM07N65F 전자부품, 판매, 대치품
WNM07N65/WNM07N65F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
Will Semiconductor Ltd. 7 Dec, 2013 - Rev.1.0

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