Datasheet.kr   

WNM3008 데이터시트 PDF




Will Semiconductor에서 제조한 전자 부품 WNM3008은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 WNM3008 자료 제공

부품번호 WNM3008 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Will Semiconductor
로고 Will Semiconductor 로고


WNM3008 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 7 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

WNM3008 데이터시트, 핀배열, 회로
WNM3008
Single N-Channel, 30V, 3.1A, Power MOSFET
VDS (V)
30
Rds(on) (ȍ)
0.044@ VGS=10V
0.057@ VGS=4.5V
WNM3008
Http//:www.willsemi.com
Descriptions
The WNM3008 is N-Channel enhancement
MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS (ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product WNM3008 is Pb-free.
Features
SOT-23
D
3
12
GS
Pin configuration (Top view)
z Trench Technology
z Supper high density cell design
z Excellent ON resistance for higher DC current
z Extremely Low Threshold Voltage
z Small package SOT-23
Applications
z Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.
z DC-DC converter circuit
z Power Switch
z Load Switch
z Charging
W38*
W38
*
= Device Code
= Month
Marking
Order information
Device
Package
Shipping
WNM3008-3/TR SOT-23 3000/Reel&Tape
Will Semiconductor Ltd. 1 Feb, 2012 - Rev.1.2




WNM3008 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
12 12
V =5V
DS
10
9
8
WNM3008
-500C
250C
1250C
6
V =2.5V
6
GS
V =3.0V
GS
4
V =4.0V
GS
V =4.5V
GS
V =10.0V
GS
3
2
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
V -Drain-to-Source Voltage(V)
DS
Output characteristics
0
01234
V -Gate-to-Source Voltage(V)
GS
Transfer characteristics
100
V =4.5V
GS
80
V =10V
GS
60
40
20
0
2 4 6 8 10
I -Drain-to-Source Current(A)
DS
On-Resistance vs. Drain current
80
V =10V I =3.1A
GS D
70
60
50
40
30
20
-50
0 50 100
Temperature(0C)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
180
I =3.1A
D
150
120
90
60
30
2 4 6 8 10
V -Gate-to-Source Voltage(V)
GS
On-Resistance vs. Gate-to-Source voltage
1.8
I =250uA
DS
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
Temperature(0C)
Threshold voltage vs. Temperature
Will Semiconductor Ltd. 4 Feb, 2012 - Rev.1.2

4페이지










WNM3008 전자부품, 판매, 대치품
Package Outline Dimension
SOT-23
WNM3008
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
ș
Will Semiconductor Ltd.
Min.
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
1.800
0.300
0o
Dimensions In Millimeters
0.950 (Typ.)
0.550 (Typ.)
Max.
1.150
0.100
1.050
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
2.000
0.500
8o
7 Feb, 2012 - Rev.1.2

7페이지


구       성 총 7 페이지수
다운로드[ WNM3008.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
WNM3003

N-Channel MOSFET

Will Semiconductor
Will Semiconductor
WNM3003

N-Channel MOSFET

TY Semiconductor
TY Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵