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부품번호 | WNM3008 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Will Semiconductor | ||
로고 | |||
WNM3008
Single N-Channel, 30V, 3.1A, Power MOSFET
VDS (V)
30
Rds(on) (ȍ)
0.044@ VGS=10V
0.057@ VGS=4.5V
WNM3008
Http//:www.willsemi.com
Descriptions
The WNM3008 is N-Channel enhancement
MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS (ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product WNM3008 is Pb-free.
Features
SOT-23
D
3
12
GS
Pin configuration (Top view)
z Trench Technology
z Supper high density cell design
z Excellent ON resistance for higher DC current
z Extremely Low Threshold Voltage
z Small package SOT-23
Applications
z Driver for Relay, Solenoid, Motor, LED etc.
z DC-DC converter circuit
z Power Switch
z Load Switch
z Charging
W38*
W38
*
= Device Code
= Month
Marking
Order information
Device
Package
Shipping
WNM3008-3/TR SOT-23 3000/Reel&Tape
Will Semiconductor Ltd. 1 Feb, 2012 - Rev.1.2
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
12 12
V =5V
DS
10
9
8
WNM3008
-500C
250C
1250C
6
V =2.5V
6
GS
V =3.0V
GS
4
V =4.0V
GS
V =4.5V
GS
V =10.0V
GS
3
2
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
V -Drain-to-Source Voltage(V)
DS
Output characteristics
0
01234
V -Gate-to-Source Voltage(V)
GS
Transfer characteristics
100
V =4.5V
GS
80
V =10V
GS
60
40
20
0
2 4 6 8 10
I -Drain-to-Source Current(A)
DS
On-Resistance vs. Drain current
80
V =10V I =3.1A
GS D
70
60
50
40
30
20
-50
0 50 100
Temperature(0C)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
180
I =3.1A
D
150
120
90
60
30
2 4 6 8 10
V -Gate-to-Source Voltage(V)
GS
On-Resistance vs. Gate-to-Source voltage
1.8
I =250uA
DS
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
Temperature(0C)
Threshold voltage vs. Temperature
Will Semiconductor Ltd. 4 Feb, 2012 - Rev.1.2
4페이지 Package Outline Dimension
SOT-23
WNM3008
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
ș
Will Semiconductor Ltd.
Min.
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
1.800
0.300
0o
Dimensions In Millimeters
0.950 (Typ.)
0.550 (Typ.)
Max.
1.150
0.100
1.050
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
2.000
0.500
8o
7 Feb, 2012 - Rev.1.2
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WNM3003 | N-Channel MOSFET | Will Semiconductor |
WNM3003 | N-Channel MOSFET | TY Semiconductor |
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