Datasheet.kr   

WCR650N60TG 데이터시트 PDF




WillSEMI에서 제조한 전자 부품 WCR650N60TG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WCR650N60TG 자료 제공

부품번호 WCR650N60TG 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 WillSEMI
로고 WillSEMI 로고


WCR650N60TG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 7 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

WCR650N60TG 데이터시트, 핀배열, 회로
WCR650N60T Series
WCR650N60T/ WCR650N60TF/ WCR650N60TG/ WCR650N60TN
600V N-Channel Super Junction MOSFET
Description
Features
The WCR600N60T series is new generation of high voltage
MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance
mechanism for outstanding low on resistance and lower gate
650V@TJ=150°C
Typ.RDS(on)=0.57
Low gate charge(typ. Qg= 9.6nC)
charge performance. This advanced technology has been tai-
lored to minimize conduction loss, provide superior switching
100% avalanche tested
100% Rg tested
performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher
avalanche energy. This device is suitable for various AC/DC
power conversion in switching mode operation for higher
efficiency.
Order Information
Device
Package
Marking
Units/Tube
WCR650N60T-3/T
TO-220
WCR650N60TYYWW
50
WCR650N60TF-3/T
TO-220-F
WCR650N60TFYYWW
50
WCR650N60TN-3/T TO-251(IPAK) WCR650N60TGYYWW
70
WCR650N60TG-3/T TO-252E-2 WCR650N60TNYYWW
Note 1: WCR650N60T=Device code ; YY=Year ;WW=Week (A~z);
Note 2: WCR650N60TF=Device code ; YY=Year ;WW=Week (A~z);
Note 3: WCR650N60TG=Device code ; YY=Year ;WW=Week (A~z);
Note 4: WCR650N60TN=Device code ; YY=Year ;WW=Week (A~z);
70
WCR
650N60
TFYYWW
WCR
650N60
TYYWW
WNM
650N60
TNYYWWW
TO-220F
TO-220
TO-251(IPAK)
Absolution Maximum Ratings TA=250C unless otherwise noted
WCR650N60T
Parameter
Symbol WCR650N60TN
WCR650N60TF
WCR650N60TG
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS
VGS
600
±30
Continuous Drain Current A TC=25°C
TC=100°C
Pulsed Drain Current B
Single Pulsed Avalanche Energy C
Avalanche Current B
Repetitive Avalanche Energy B
ID
IDM
EAS
IAR
EAR
7.3
4.6
16
86
1.7
0.2
Power Dissipation
TC=25°C
Derate above 25°C
PD
62.5
0.5
27.7
0.22
Operating and Storage Temperature Range TJ,TSTG
-55~150
Lead Temperature
Thermal Resistance Ratings
TL
260
Maximum Junction-to-Ambient
RθJA
60
80
Maximum Junction-to-Case
RθJC
2
4.5
WCR
650N60
TGYYWW
TO-252E-2
Unit
V
A
A
mJ
A
mJ
W
W/°C
°C
°C
°C/W
Will Semiconductor Ltd. 1 Jan, 2016 - Rev.1.0




WCR650N60TG pdf, 반도체, 판매, 대치품
WCR650N60T Series
10 4
1
25oC
0.1
-55oC
3
2
1
Eoss
0.01
0.4
1
0.6 0.8 1.0
V -Source-to-Drain Voltage(V)
sd
Body diode forward voltage
1.2
f=1MHz
Ciss
0.1
0.01
1E-3
1
80
Coss
Crss
10
VDS(V)
Capacitance
100
0
0 100 200 300 400
V (V)
DS
Coss stored Energy
10
VDD=480V ID=3.5A
8
500
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10
Qg(nC)
Gate charge Characteristics
60
TO-220
TO252E-2
TO251-IPAK
40
20
TO-220F
0
0
50 100
TCASE(oC)
Power dissipation
150
Will Semiconductor Ltd. 4 Jan, 2016 - Rev.1.0

4페이지










WCR650N60TG 전자부품, 판매, 대치품
TO-251E(IPAK)
WCR650N60T Series
TO-252E-2
Will Semiconductor Ltd. 7 Jan, 2016 - Rev.1.0

7페이지


구       성 총 7 페이지수
다운로드[ WCR650N60TG.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
WCR650N60T

MOSFET ( Transistor )

WillSEMI
WillSEMI
WCR650N60TF

MOSFET ( Transistor )

WillSEMI
WillSEMI

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵