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WNM3019 데이터시트 PDF




WillSEMI에서 제조한 전자 부품 WNM3019은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WNM3019 자료 제공

부품번호 WNM3019 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 WillSEMI
로고 WillSEMI 로고


WNM3019 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 7 페이지수

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WNM3019 데이터시트, 핀배열, 회로
WNM3019
Small Signal N-Channel, 30V, 0.2A, MOSFET
VDS (V) Typical Rds(on) (Ω)
1.2@ VGS=10V
30 1.4@ VGS=4.5V
1.9@ VGS=2.5V
ESD Rating: 2000V HBM
Descriptions
The WNM3019 is N-Channel enhancement
MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS (ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in small signal switch. Standard Product WNM3019
is Pb-free and Halogen-free.
WNM3019
Http://www.sh-willsemi.com
Pin configuration (Top view)
Features
Trench Technology
Supper high density cell design
Excellent ON resistance for higher DC current
HBM ESD protection >2 kV
Small package SOT-523
Applications
Driver: Relay, Solenoid, Lamps,Hammers etc.
Power supply converters circuit
Load/Power Switching for potable device
19 = Device Code
* = Month (A~Z)
Marking
Order information
Device
WMN3019-3/TR
Package
Shipping
SOT-523 3000/Reel&Tape
Will Semiconductor Ltd.
1 2015/8/10 Rev. 1.0




WNM3019 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
WNM3019
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0
VGS=2.5V
VGS=4V
VGS=4.5V
VGS=10V
0.5 1.0 1.5
V - Drain to Source Voltage(V)
DS
2.0
Output characteristics
1.0
VDS=3.0V
0.8
0.6
-55OC
25OC
150OC
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V - Gate to Source Voltage(V)
GS
3.0
Transfer characteristics
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
VGS=2.5V
VGS=4V
VGS=4.5V
VGS=10V
0.1 0.2 0.3 0.4
I - Drain to Source Current(A)
DS
0.5
On-Resistance vs. Drain current
30
I =0.25A
D
25
25oC
20 150oC
15
10
5
0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
VGS-Gate to Source Voltage(V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source voltage
2.0
1.8
V =4.5V
GS
ID=0.25A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0 50 100
Temperature(C)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
-50
ID=250uA
0 50 100
Temperature (C)
150
Threshold voltage vs. Temperature
Will Semiconductor Ltd.
4 2015/8/10 Rev. 1.0

4페이지










WNM3019 전자부품, 판매, 대치품
Package outline dimensions
WNM3019
Will Semiconductor Ltd.
7 2015/8/10 Rev. 1.0

7페이지


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