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부품번호 | WPM3021 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | WillSEMI | ||
로고 | |||
WPM3021
Single P-Channel, -30V, -11.5A, Power MOSFET
VDS (V)
-30
Typical RDS(on) (mΩ)
11@ VGS=-10V
15@VGS=-5V
Descriptions
The WPM3021 is P-Channel enhancement MOS
Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS(ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product WPM3021 is Pb-free.
Features
Trench Technology
Supper high density cell design
Excellent ON resistance
Extremely Low Threshold Voltage
Small package SOP-8L
WPM3021
Http://www.sh-willsemi.com
(4)
(3)
(2)
(1)
SOP-8L
DD
87
DD
65
12
SS
34
SG
Pin configuration (Top view)
Applications
DC/DC converters
Power supply converters circuit
Load/Power Switching for portable device
PS =DeviceCode
Y = Year
W = Week(A~z)
Marking
Order information
Device
WPM3021-8/TR
Package
SOP-8L
Shipping
2500/Tape&Reel
Will Semiconductor Ltd. 1 2016/08/03-Rev.1.0
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
46
V =10VG =8VS
2
GS VGS=6
0
VGS=5. V5
0
5VDS-rai
10-toSurcen
15Voltage()
20
WPM3021
20
VGS=-10V
16
VGS=-4.5V
12
VGS=-3.5V
8
4
0
0123
-VDS-Drain to Source Voltage(V)
Output characteristics
20
18 VDS=-5V
16
14
12
10 150oC
8
6
4
25oC
-50oC
2
0
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
-VGS-Gate to Source Voltage(V)
Transfer characteristics
0.05
0.04
0.03
0.02
V =-3.5V
GS
VGS=-4.5V
VGS=-10V
0.01
2 4 6 8 10
-IDS-Drain to Source Current(A)
On-Resistance vs. Drain current
0.10
ID=-10A
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
3
456789
-VGS-Gate to Source Voltage (V)
10
On-Resistance vs. Gate-to-source voltage
1.6
1.4 V =-10V
GS
ID=-10A
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0 50 100
Temperature (oC)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
1.2
ID=-250uA
1.0
0.8
0.6
-50
0 50 100
Temperature (oC)
150
Threshold voltage vs. Temperature
Will Semiconductor Ltd. 4 2016/08/03-Rev.1.0
4페이지 Package outline dimensions
SOP-8L
WPM3021
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
L
©
Will Semiconductor Ltd.
Min.
1.350
0.100
1.250
0.380
0.170
4.800
3.800
5.800
0.450
0e
Dimensions in millimeter
Typ.
1.550
0.150
1.400
-
-
4.900
3.900
6.000
1.270(BSC)
0.600
-
Max.
1.750
0.250
1.650
0.510
0.250
5.000
4.000
6.200
0.800
8e
7 2016/08/03-Rev.1.0
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
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WPM3022 | MOSFET ( Transistor ) | WillSEMI |
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