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부품번호 | WPM3022 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | WillSEMI | ||
로고 | |||
WPM3022
Single P-Channel, -30V, -3.1A, Power MOSFET
WPM3022
Http://www.sh-willsemi.com
VDS (V)
-30
Typical RDS(on) (mΩ)
56 @ VGS=-10V
77 @ VGS=-4.5V
Descriptions
The WPM3022 is P-Channel enhancement MOS
Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent RDS(ON)
with low gate charge. This device is suitable for use
in DC-DC conversion, power switch and charging
circuit. Standard Product WPM3022 is Pb-free.
Features
D
S
G
SOT-23
D
3
12
GS
Pin configuration (Top view)
Trench Technology
Supper high density cell design
Excellent ON resistance
Extremely Low Threshold Voltage
Small package SOT-23
Applications
DC/DC converters
Power supply converters circuit
Load/Power Switching for portable device
PD = Device Code
Y = Year
W = Week(A~z)
Marking
Order information
Device
WPM3022-3/TR
Package
SOT-23
Shipping
3000/Tape&Reel
Will Semiconductor Ltd. 1 2016/08/26- Rev.1.0
Typical Characteristics (Ta=25oC, unless otherwise noted)
46
V =10VG =8VS
2
GS VGS=6
0
VGS=5. V5
0
5VDS-rai
10-toSurcen
15Voltage()
20
WPM3022
15
12
VGS=-4.0V
9 VGS=-4.5V
VGS=-10V
6
VGS=-3.0V
3
0
012345
-VDS-Drain to Source Voltage (V)
Output characteristics
0.16
0.14
0.12
0.10
V =-4V
GS
VGS=-4.5V
0.08
0.06
VGS=-10V
0.04
2468
-IDS-Drain to Source Current(A)
On-Resistance vs. Drain current
10
10
VDS=-5V
8
6
T=150OC
4
T=25OC
2
T=-50OC
0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
-V -Gate to Source Voltage(V)
GS
Transfer characteristics
4.0
0.40
0.32
ID=-3.1A
0.24
0.16
0.08
2 4 6 8 10
-VGS -Gate to Source Voltage(V)
On-Resistance vs. Gate-to-source voltage
1.6
1.4
VGS=-10V
ID=-3.1A
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0 50 100
Temperature (oC)
150
On-Resistance vs. Junction temperature
1.1 ID=-250uA
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 0 50 100
Temperature (oC)
Threshold voltage vs. Temperature
150
Will Semiconductor Ltd. 4 2016/08/26- Rev.1.0
4페이지 Package outline dimensions
SOT-23
WPM3022
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
ș
Will Semiconductor Ltd.
Min.
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
1.800
0.300
0o
Dimensions In Millimeters
0.950 (Typ.)
0.550 (Typ.)
Max.
1.150
0.100
1.050
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
2.000
0.500
8o
7 2016/08/26- Rev.1.0
7페이지 | |||
구 성 | 총 7 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WPM3021 | MOSFET ( Transistor ) | WillSEMI |
WPM3022 | MOSFET ( Transistor ) | WillSEMI |
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