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MT36HTJ51272 데이터시트 PDF




Micron에서 제조한 전자 부품 MT36HTJ51272은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MT36HTJ51272 자료 제공

부품번호 MT36HTJ51272 기능
기능 4GB DDR2 SDRAM Registered DIMM
제조업체 Micron
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MT36HTJ51272 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MT36HTJ51272 데이터시트, 핀배열, 회로
4GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM
Features
DDR2 SDRAM Registered DIMM (RDIMM)
MT36HTJ51272(P) – 4GB
For the latest data sheet and for component data sheets, refer to Micron's Web site: www.micron.com
Features
• Supports 95°C with double refresh
• 240-pin, registered dual in-line memory module
• Fast data transfer rates: PC2-3200, PC2-4200, or
PC2-5300
• Supports ECC error detection and correction
• VDD = VDDQ = +1.8V
• VDDSPD = +1.7V to +3.6V
• JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
• Differential data strobe (DQS, DQS#) option
• 4-bit prefetch architecture
• DLL to align DQ and DQS transitions with CK
• Dual rank
• Multiple internal device banks for concurrent
operation
• Programmable CAS# latency (CL)
• Posted CAS# additive latency (AL)
• WRITE latency = READ latency - 1 tCK
• Programmable burst lengths (BL): 4 or 8
• Adjustable data-output drive strength
• 64ms, 8,192-cycle refresh
• On-die termination (ODT)
• Serial presence-detect (SPD) with EEPROM
• Gold edge contacts
Figure 1: 240-Pin DIMM (MO-237 R/C “K”)
Height: 30mm (1.18in)
Options
Marking
• Parity
• Package
240-pin DIMM (lead-free)
• Frequency/CAS latency1
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)2
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
5.0ns @ CL = 3 (DDR2-400)
• PCB height
30mm (1.18in)
P
Y
-667
-53E
-40E
Notes: 1. CL = CAS (READ) latency; registered mode
will add one clock cycle to CL.
2. Contact Micron for product availability.
Table 1: Key Timing Parameters
Speed
Grade
-667
-53E
-40E
Table 2:
Industry Nomenclature
PC2-5300
PC2-4200
PC2-3200
Addressing
Data Rate (MT/s)
CL = 5
667
CL = 4
533
533
400
CL = 3
400
400
400
tRCD
(ns)
15
15
15
tRP
(ns)
15
15
15
tRC
(ns)
55
55
55
Refresh count
Row address
Device bank address
Device page size per bank
Device configuration
Column address
Module rank address
4GB
8K
16K (A0–A13)
8 (BA0–BA2)
1KB
1Gb (256 Meg x 4)
2K (A0–A9, A11)
2 (S0#, S1#)
PDF: 09005aef822553c2/Source: 09005aef822553af
HT36HTJ51272.fm - Rev. B 7/06 EN
1 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.




MT36HTJ51272 pdf, 반도체, 판매, 대치품
4GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM
Functional Block Diagram
Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram
VSS
RS0#
RS1#
DQS0
DQS0#
Rank 0 = U1b-U5b, U9b-U16b, U18b-U22b
Rank 1 = U1t-U5t, U9t-U16t, U18t-U22t
U7
SCL Serial PD
WP A0 A1 A2
SDA
SA0 SA1 SA2
U6, U17
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS1
DQS1#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS2
DQS2#
PAR_IN
S0#
S1#
BA0–BA2
A0–A13
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET#
CK#
CK
R
E
G
I
S
T
E
R
S
VDDSPD
VDD
VDDQ
VREF
VSS
120
CK0
CK0#
RESET#
U8
PLL
ERR_OUT
RS0#: Rank 0
RS1#: Rank 1
RBA0–RBA2: DDR2 SDRAM
RA0–RA13: DDR2 SDRAM
RRAS#: DDR2 SDRAM
RCAS#: DDR2 SDRAM
RWE#: DDR2 SDRAM
RCKE0: Rank 0
RCKE1: Rank 1
RODT0: Rank 0
RODT1: Rank 1
Serial PD/EEPROM
DDR2 SDRAMs
DDR2 SDRAMs
DDR2 SDRAMs
DDR2 SDRAMs
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
DDR2 SDRAM x 4
REGISTER x 2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS3
DQS3#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS8
DQS8#
CB0
CB1
CB2
CB3
DQS4
DQS4#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS5
DQS5#
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS6
DQS6#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQS7
DQS7#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U1b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U1t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U2b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U2t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U3b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U3t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U4b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U4t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U5b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U5t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U9b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U9t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U10b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U10t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U11b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U11t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U12b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U12t
DQ
DQ
DQS9
DQS9#
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS10
DQS10#
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS11
DQS11#
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS12
DQS12#
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS17
DQS17#
CB4
CB5
CB6
CB7
DQS13
DQS13#
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS14
DQS14#
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS15
DQS15#
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS16
DQS16#
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U22b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U22t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U21b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U22t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U20b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U20t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U19b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U19t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U18b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U18t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U16b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U16t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U15b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U15t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U14b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U14t
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U13b
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DQ
DQ U13t
DQ
DQ
Notes: 1. All pull down resistors are 10KΩ and all series resistors are 22Ω, unless otherwise noted.
PDF: 09005aef822553c2/Source: 09005aef822553af
HT36HTJ51272.fm - Rev. B 7/06 EN
4 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

4페이지










MT36HTJ51272 전자부품, 판매, 대치품
4GB (x72, ECC, DR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM
IDD Specifications
Table 7:
DDR2 IDD Specifications and Conditions – 4GB (continued)
Values shown for MT47H256M4 DDR2 SDRAM only and are computed from values specified in the 1Gb
(256 Meg x 4) component data sheet
Parameter/Condition
Precharge power-down current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD);
CKE is LOW; Other control and address bus inputs are stable; Data bus
inputs are floating
Precharge quiet standby current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD);
CKE is HIGH, S# is HIGH; Other control and address bus inputs are stable;
Data bus inputs are floating
Precharge standby current: All device banks idle; tCK = tCK (IDD); CKE is
HIGH, S# is HIGH; Other control and address bus inputs are switching;
Data bus inputs are switching
Active power-down current: All device banks open; tCK Fast PDN exit
= tCK (IDD); CKE is LOW; Other control and address bus MR[12] = 0
inputs are stable; Data bus inputs are floating
Slow PDN exit
MR[12] = 1
Active standby current: All device banks open; tCK = tCK (IDD), tRAS =
tRAS MAX (IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid
commands; Other control and address bus inputs are switching; Data bus
inputs are switching
Operating burst write current: All device banks open; Continuous
burst writes; BL = 4, CL = CL (IDD), AL = 0; tCK = tCK (IDD), tRAS = tRAS MAX
(IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid commands;
Address bus inputs are switching; Data bus inputs are switching
Operating burst read current: All device banks open; Continuous burst
reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL (IDD), AL = 0; tCK = tCK (IDD), tRAS = tRAS
MAX (IDD), tRP = tRP (IDD); CKE is HIGH, S# is HIGH between valid
commands; Address bus inputs are switching; Data bus inputs are
switching
Burst refresh current: tCK = tCK (IDD); REFRESH command at every tRFC
(IDD) interval; CKE is HIGH, S# is HIGH between valid commands; Other
control and address bus inputs are switching; Data bus inputs are
switching
Self refresh current: CK and CK# at 0V; CKE 0.2V; Other control and
address bus inputs are floating; Data bus inputs are floating
Operating bank interleave read current: All device banks interleaving
reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL (IDD), AL = tRCD (IDD) -1 × tCK (IDD); tCK
= tCK (IDD), tRC = tRC (IDD), tRRD = tRRD (IDD), tRCD = tRCD (IDD); CKE is
HIGH, S# is HIGH between valid commands; Address bus inputs are stable
during deselects; Data bus inputs are switching
Symbol
IDD2Pb
IDD2Qb
IDD2Nb
IDD3Pb
IDD3Nb
IDD4Wa
IDD4Ra
IDD5b
IDD6b
IDD7a
-667
252
1,980
2,160
1,440
360
2,520
3,006
3,006
9,360
252
5,526
-53E
252
1,476
1,620
1,080
360
1,980
2,466
2,736
9,000
252
5,346
-40E
252
1,260
1,440
900
360
1,620
2,106
2,106
7,920
252
4,806
Units
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Notes: 1. a = Value calculated as one module rank in this operating condition, all other module ranks
in IDD2P (CKE LOW) mode.
b = Value calculated reflects all module ranks in this operating condition.
PDF: 09005aef822553c2/Source: 09005aef822553af
HT36HTJ51272.fm - Rev. B 7/06 EN
7 Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

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