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QM3004U1 데이터시트 PDF




UBIQ에서 제조한 전자 부품 QM3004U1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QM3004U1 자료 제공

부품번호 QM3004U1 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 UBIQ
로고 UBIQ 로고


QM3004U1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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QM3004U1 데이터시트, 핀배열, 회로
QM3004U1
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
General Description
The QM3004U1 is the highest performance trench
N-ch MOSFETs with extreme high cell density ,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The QM3004U1 meet the RoHS and Halogen-free
Product requirement , 100% EAS guaranteed with
full function reliability approved.
Features
z Advanced high cell density Trench technology
z Super Low Gate Charge
z Excellent CdV/dt effect decline
z 100% EAS Guaranteed
z Halogen-Free Device Available
Absolute Maximum Ratings
Product Summery
Halogen-Free
BVDSS
30V
RDSON
8.5m
ID
55A
Applications
z High Frequency Point-of-Load Synchronous
Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
z Networking DC-DC Power System
z Load Switch
TO251S Pin Configuration
D
G DS
Symbol
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
EAS
IAS
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Continuous Drain Current, VGS @ 10V1
Pulsed Drain Current2
Single Pulse Avalanche Energy3
Avalanche Current
Total Power Dissipation4
Total Power Dissipation4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
Rating
30
±20
55
40
13.6
11.4
110
130
34
41
2.42
-55 to 175
-55 to 175
Units
V
V
A
A
A
A
A
mJ
A
W
W
Thermal Data
Symbol
RθJA
RθJC
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient (Steady State)1
Thermal Resistance Junction-Case1
1
Typ.
---
---
Max.
62
3.6
Unit
/W
/W
Rev A.02 D022511




QM3004U1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2.5
2.3
2.0
1.8
1.5
1.3
1.0
0.8
0.5
0.3
0.0
25
500uA
50uA
50 75 100 125 150
TJ , Junction Temperature ()
Fig.7 VGS(th) vs. TJ
175
Fig.9 On-Resistance vs. Drain Current
10000
1000
F=1.0MHz
Ciss
Coss
100
Crss
10
1 5 9 13 17 21 25
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.11 Capacitance
QM3004U1
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
46
ID=10mA
42
38
34
30
25
70
50 75 100 125 150
TJ , Junction Temperature ()
Fig.8 BVDSS vs. TJ
175
60
50
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
VGS (V)
Fig.10 Transfer Characteristics
1000.00
100.00
10.00
1.00
10us
100us
1ms
10ms
100ms
DC
0.10
TC=25
Single Pulse
0.01
0.1
1
VDS (V)
10
Fig.12 Safe Operating Area
100
4

4페이지












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다운로드[ QM3004U1.PDF 데이터시트 ]

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