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D1FE60 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 D1FE60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 D1FE60 자료 제공

부품번호 D1FE60 기능
기능 Rectifier Diode
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


D1FE60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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D1FE60 데이터시트, 핀배열, 회로
Single
D1FE60
600V1A
特長
小型 SMD
ESD
AEC-Q101準拠
Feature
SmallSMD
HighESDCapability
BasedonAEC-Q101
RectifierDiode
■外観図 OUTLINE
Package:1F
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,Ta=25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Onglass-epoxysubstrate,Ta=25˚C
50Hz正弦波,抵抗負荷,アルミナ基板実装,Ta=25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Onaluminasubstrate,Ta=25˚C
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=126℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=126˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp=1ms,Tj=25℃,非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C, Non-repetitive
-55~150
150
600
0.8
1.0
1.0
30
70
V
A
A
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合は Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
静電気耐量
ElectrostaticDischargeCapability
熱抵抗
ThermalResistance
VF
IR
VESD
θjl
θja
IF=1A,
パルス測定
Pulsemeasurement
VR
600V,
パルス測定
Pulsemeasurement
C=150pF,R=150Ω,極性±,気中放電
C=150pF,R=150Ω,Polarity±,Airialdischarge
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間, アルミナ基板実装
Junctiontoambient,Onaluminasubstrate
接合部・周囲間, プリント基板実装
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate
MAX 1.10
MAX 10
TYP 25
MAX 23
MAX 108
MAX 157
V
μA
kV
℃/W
J534-p2014.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




D1FE60 pdf, 반도체, 판매, 대치품

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