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D6JBB80V 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 D6JBB80V은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 D6JBB80V 자료 제공

부품번호 D6JBB80V 기능
기능 Bridge Diode
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


D6JBB80V 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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D6JBB80V 데이터시트, 핀배열, 회로
SIP
D6JBB80V
800V6A
特長
高耐圧
低背タイプ
UL142422
Feature
HighVoltage
Low Height
UL142422
BridgeDiode
■外観図 OUTLINE
PackageJB
D6JB 80 0000
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tj
VRM
Io
フィン付き
50Hz正弦波,抵抗負荷
Withheatsink
50Hzsinewave,Resistanceload フィンなし
Withoutheatsink
Tc=131℃
Ta=25℃
IFSM
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
IFSM1
tp= 1ms,Tj=25℃,非繰り返し
tp=1ms,Tj=25˚C,Non-repetitive
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.5N・m)
(Recommendedtorque:0.5Nm)
規格値
Ratings
-55~150
150
800
6
1.8
100
200
2
0.8
単位
Unit
V
A
A
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc= 25℃)
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
熱抵抗
ThermalResistance
VF
IR
θjc
θjl
θja
IF=3A,
パルス測定,1素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
VR=VRM,
パルス測定,1素子当りの規格値
Pulsemeasurement,Perdiode
接合部・ケース間 ,フィン付き
Junctiontocase,withheatsink
接合部・リード間 ,フィンなし
Junctiontolead,withoutheatsink
接合部・周囲間 ,フィンなし
Junctiontoambient,withoutheatsink
*θjc規格について表面検出(別紙ディレーティングカーブ参照)
θjcissubjecttosurfacedetection(Refertoderatingcurveontheseparatesheet)
MAX 1.05
MAX 10
MAX 1.5
MAX 6.5
MAX 40
V
μA
℃/W
J534-P2011.2〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




D6JBB80V pdf, 반도체, 판매, 대치품

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