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부품번호 | D50XB80 기능 |
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기능 | Bridge Diode | ||
제조업체 | SHINDENGEN | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
Bridge Diode
D50XB80
800V 50A
特長
• 薄型 SIP パッケージ
• UL E142422
• 高耐圧・高 IFSM
• 大電流容量
• 高放熱伝導性
Feature
• Thin-SIP
• UL E142422
• High Voltage・Large IFSM
• Large Io
• High Thermal Radiation
大容量 シングルインライン型
Large Io Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
Package:TSB-4PIN
Unit : mm
Weight : 22g(typ.)
SHINDENGEN
D50XB 80
0264
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,
Terminal Connection.”
■定格表 RRAATTININGGSS
Absolute Maximum Ratings
Item
Storage Temperature
Operation Junction Temperature
Maximum Reverse Voltage
Symbol Conditions
Average Rectified Forward Current
50Hz sine wave, Resistance load
Type No.
With heatsink
Without heatsink
D50XB80
Unit
Peak Surge Forward Current
Current Squared Time
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value,
per diode Tj=25
per diode
Dielectric Strength
Mounting Torque
Terminals to Case, AC 1 minute
Except top opposite side of the terminal side of the mold case.
Recommended torque : 1.2 N m
Forward Voltage
Reverse Current
Thermal Resistance
Electrical Characteristics
Pulse measurement, per diode
Pulse measurement, per diode
Junction to Case
Junction to Ambient
114 (J534-1)
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구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
D50XB80 | Bridge Diode | SHINDENGEN |
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