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D3CE6S 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 D3CE6S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 D3CE6S 자료 제공

부품번호 D3CE6S 기능
기능 Schottky Barrier Diode
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


D3CE6S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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D3CE6S 데이터시트, 핀배열, 회로
Single
SchottkyBarrierDiode
D3CE6S
■外観図 OUTLINE
PackageCE
60V3A
特長
超小型 SMD
超薄型=1.0mm
低 VF=0.58V
Feature
Ultra-smallSMD
Ultla-thinPKG=1.0mm
LowVF=0.58V
S6
0000
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
Tstg
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
Tj
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
VRM
繰り返しせん頭サージ逆電圧
RepetitivePeakSurgeReverseVoltage
VRRSM
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
Io
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
IFSM
パルス幅 0.5ms,duty1/40
Pulsewidth0.5ms,duty1/40
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C
*1
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta= 25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=112℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=112˚C
*2
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
60
65
0.9
1.4
3.0
100
V
V
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
接合容量
JunctionCapacitance
ElectricalCharacteristics指定のない場合は
VF
IF=3.0A,
パルス測定
Pulsemeasurement
IR
VR= 60V,
パルス測定
Pulsemeasurement
Cj f=1MHz,VR=10V
熱抵抗
ThermalResistance
θja
接合部・周囲間
Junctiontoambient
θjl
接合部・リード間
Junctiontolead
*1 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 32mm2
Measuredonthe2×2inchOnglass-epoxisubstrate(patternarea:32mm2)
*2 ガラス・エポキシ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積 160mm2
Measuredonthe2×2inchOnglass-epoxisubstrate(patternarea:160mm2)
Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
MAX 0.58
V
MAX 300
μA
TYP 110
pF
*1
MAX 172
*2
MAX 115
℃/W
MAX 15
J532-p2013.12〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




D3CE6S pdf, 반도체, 판매, 대치품

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