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D6FEC4ST PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 D6FEC4ST
기능 Schottky Barrier Diode
제조업체 SHINDENGEN
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D6FEC4ST 데이터시트, 핀배열, 회로
Twin Schottky Barrier Diode
D6FEC4ST
■外観図 OUTLINE
PackageFE
40V 6A
特長
●SMD
●超低lR
●AEC-Q101準拠
Feature
●SMD
●Ultra Low lR
●Based on AEC-Q101
品名略号
Type No.
6EC4
T
00
00
ロット記号(例)
Date code
管理番号(例)
Control No.
Unit : mm
外形図については新 電元Webサイトをご 参照下さい。捺印表 示については
捺印仕様をご確認下さい。
For details of the outline dimensions, refer to our web site. As for the
marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”.
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(指定のない場合はTc=25℃/unless otherwise specified)
項  目
Item
記号
Symbol
条 件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operating Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz 正弦波, 抵抗負荷, Ta=25℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta25
50Hz 正弦波, 抵抗負荷, 一素子当りの出力電流平均値 Io/2, Tc=158℃
50Hz sine wave, Resistance load, Rating for each diode Io/2, Tc158
50Hz 正弦波, 非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj25
tp=1ms, Tj=25℃, 非繰り返し
tp1ms, Tj25, Non-repetitive
-55~175
175
40
4
6
90
155
V
A
A
A
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合はTc=25℃/unless otherwise specified)
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IF=3A,
IF3A,
パルス測定, 一素子当りの規格値
Pulse measurement, per diode
IR
VR=40V, パルス測定, 一素子当りの規格値
VR40V, Pulse measurement, per diode
Cj
f=1MHz, VR=10V, 一素子当りの規格値
f1MHz, VR10V, per diode
θjc
接合部・ケース間
Junction to case
θja
接合部・周囲間 ※1
Junction to ambient ※1
Max. 0.74
V
Max.
8
μA
Typ. 93
pF
Max.
Max.
4
60
℃/W
※1 基板条件はディレーティングカーブ[Ta-Io]参照
(J532-p〈2016.02〉I2)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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