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S2K100 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 S2K100은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S2K100 자료 제공

부품번호 S2K100 기능
기능 Fast Recovery Diode
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


S2K100 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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S2K100 데이터시트, 핀배열, 회로
Single
FastRecoveryDiode
S2K100
■外観図 OUTLINE
PackageAX10
1000V2A
特長
高耐圧
低ノイズ
trr=75ns
Feature
HighVoltage
LowNoise
trr=75ns
2KA 00
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperatingJunctionTemperature
せん頭逆電圧
Maximum ReverseVoltage
出力電流
AverageRectifiedForwardCurrent
せん頭サージ順電流
PeakSurgeForwardCurrent
Tstg
Tj
VRM
Io
IFSM
IFSM1
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta=25℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Ta=25˚C
50Hz正弦波,抵抗負荷,Tl=91℃
50Hzsinewave,Resistanceload,Tl=91˚C
50Hz正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
tp=1ms正弦波,非繰り返し 1サイクルせん頭値,Tj=25℃
tp=1msSinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
-55~150
150
1000
0.9
2.0
65
100
V
A
A
A
●電気的・熱的特性
順電圧
ForwardVoltage
逆電流
ReverseCurrent
逆回復時間
ReverseRecoveryTime
接合容量
JunctionCapacitance
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合は Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
VF IF=2A,
IR VR=1000V,
パルス測定
Pulsemeasurement
パルス測定
Pulsemeasurement
MAX 2.1
MAX 10
V
μA
IF=0.5A,IR=1.0A,0.25IR
trr
IF=1A,VR=400V,di/dt=-50A/μs,0.25IR
MAX 75
MAX 85
ns
Cj
θjl
θja
f=1MHz,VR=10V
接合部・リード間
Junctiontolead
接合部・周囲間
Junctiontoambient
TYP 14
MAX 12
MAX 83
pF
℃/W
℃/W
J533-p2012.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




S2K100 pdf, 반도체, 판매, 대치품

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