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P34F6EL 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P34F6EL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P34F6EL 자료 제공

부품번호 P34F6EL 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P34F6EL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P34F6EL 데이터시트, 핀배열, 회로
Nch
P34F6EL
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
60V34A
特長
絶縁タイプ
低オン抵抗
.5V駆動
低容量
Feature
IsolatedPackage
LowRON
4.5VGateDrive
LowCapacitance
0000
34F6EL
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
PT
IAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
60
±20
34
136
35
27
36
2
0.5
V
A
W
A
mJ
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=60V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=17A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=17A,VGS=10V
ID=17A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
熱抵抗
ThermalResistance
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
入力容量
InputCapacitance
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
出力容量
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
降下時間
Falltime
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
VTH ID=1mA,VDS=10V
VSD
θjc
IS=34A,VGS=0V
接合部・ケース間
Junctiontocase
Qg
Qgs VDD=48V,VGS=10V,ID=34A
Qgd
Ciss
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
Coss
td(on)
tr ID=17A,RL=1.76Ω,VDD=30V,Rg=0Ω,
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
tf
trr
Qrr
IF=34A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
60 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1 μA
12 ─ ─
S
9.0
11.0
11.0
15.0
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
─ ─ 3.55 ℃/W
─ 41 ─
─ 7 ─ nC
─ 12 ─
─ 1960 ─
─ 130 ─ pF
─ 240 ─
─ 8─
21 ─
23 ─
ns
─ 4─
─ 43 ─ ns
─ 57 ─ nC
MOS-p2014.07〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P34F6EL pdf, 반도체, 판매, 대치품

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