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P70F7R5EN 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P70F7R5EN은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P70F7R5EN 자료 제공

부품번호 P70F7R5EN 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P70F7R5EN 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P70F7R5EN 데이터시트, 핀배열, 회로
Nch
P70F7R5EN
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
75V70A
特長
絶縁タイプ
低オン抵抗
10V駆動
低容量
Feature
IsolatedPackage
LowRON
10VGateDrive
LowCapacitance
0000
70F7REN
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
75
±20
70
280
70
53
70
245
2
0.5
V
A
W
A
mJ
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=75V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=35A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=35A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=70A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=60V,VGS=10V,ID=70A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=35A,RL=1.2Ω,VDD=42V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=70A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
75 ─ ─
V
1
±0.1
μA
25 ─ ─
S
─ 3.8 4.8 mΩ
2.0 3.0 4.0
─ ─ 1.5
V
─ ─ 2.35 ℃/W
─ 105 ─
─ 27 ─ nC
─ 40 ─
─ 5720 ─
─ 345 ─ pF
─ 745 ─
─ 11 ─
43 ─
53 ─
ns
─ 56 ─
─ 57 ─ ns
─ 130 ─ nC
MOS-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P70F7R5EN pdf, 반도체, 판매, 대치품

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