Datasheet.kr   

P9B40HP2 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P9B40HP2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P9B40HP2 자료 제공

부품번호 P9B40HP2 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P9B40HP2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

P9B40HP2 데이터시트, 핀배열, 회로
Nch
P9B40HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
400V9A
特長
面実装タイプ
高耐圧
低ノイズ
低オン抵抗
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
LowRON
P9B40H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソース間ダイオード
Drain-SourceDiode
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR
EAS
EAR
Tch=150℃
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
di/dt Is=9A,Tc=25℃
-55~150
150
400
±30
9
36
9
40
9
37
3.7
350
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=400V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=4.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID=4.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=4.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=320V,VGS=10V,ID=9A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=4.5A,RL=33.3Ω,VDD=150V,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
400
3.5
3.0
7.0
0.65
3.75
14.5
575
5
60
8.5
30
50
25
─V
100 μA
±10 μA
─S
0.80 Ω
4.5 V
1.5
3.12 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
MOS-P2016.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P9B40HP2 pdf, 반도체, 판매, 대치품

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ P9B40HP2.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
P9B40HP2

Power MOSFET ( Transistor )

SHINDENGEN
SHINDENGEN

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵