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P5B52HP2 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P5B52HP2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P5B52HP2 자료 제공

부품번호 P5B52HP2 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P5B52HP2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P5B52HP2 데이터시트, 핀배열, 회로
P5B52HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
525V5A
特長
面実装タイプ
高耐圧
低ノイズ
低オン抵抗
Feature
SMD
HighVoltage
LowNoise
LowRON
P5B52H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレインソース間ダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=5A,Tc= 25℃
-55~150
150
525
±30
5
20
5
54
5
45
4.5
350
V
A
W
A
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS= 525V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS= ±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID= 2.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID= 2.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID= 1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS= 2.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD= 400V,VGS=10V,ID= 5A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS= 50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
下降時間
Falltime
td(on)
tr
td(off)
ID= 2.5A,RL= 60Ω,
VDD=150V,Rg= 50Ω,
VGS(+) = 10V,VGS(-) = 0V
tf
Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
525 ─
──
──
100
±10
V
μA
2.5 5 ─
S
─ 1.4 1.7
3.0 3.75 4.5
─ ─ 1.5
Ω
V
─ ─ 2.31 ℃/W
─ 10.5 ─ nC
─ 400 ─
─ 4─
─ 45 ─
pF
─ 10.5 ─
─ 17 ─ ns
─ 32 ─
─ 22 ─
MOSFET2013.04〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P5B52HP2 pdf, 반도체, 판매, 대치품

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