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P6F50HP2 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P6F50HP2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P6F50HP2 자료 제공

부품번호 P6F50HP2 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P6F50HP2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P6F50HP2 데이터시트, 핀배열, 회로
P6F50HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220AG3pin
Unit:mm
500V6A
特長
高耐圧
低オン抵抗
高速スイッチング
高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
HighVoltage
LowRON
FastSwitching
HighAvalanchedurability,Highdi/dtdurability
0000
6F50H2
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード耐量
Drain-SourceDiodedi/dt
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=6A,Tc=25℃
Vdis 一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR (推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
500
±30
6
24
6
62.5
6
50
5
350
2
0.5
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=500V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=3A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=3A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=3A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=400V,VGS=10V,ID=6A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=3A,RL=50Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
500
3
3.0
6
1
3.75
12.5
500
4.2
55
12
20
40
22
─V
100 μA
±10
─S
1.25 Ω
4.5
1.5
V
2 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
MOSFET2012.06〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P6F50HP2 pdf, 반도체, 판매, 대치품

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