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ST02-33G1 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 ST02-33G1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ST02-33G1 자료 제공

부품번호 ST02-33G1 기능
기능 Power Zener Diode
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


ST02-33G1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ST02-33G1 데이터시트, 핀배열, 회로
PowerZenerDiodeTVSTransientVoltageSuppressor
ST02-33G1
■外観図 OUTLINE
PackageG1F
Unit:mm
33V
特長
1Wクラス
小型 SMD
車載用途も対応可能
AEC-Q101準拠
Feature
1W Class
SmallSMD
Availableforautomotiveuse
BasedonAEC-Q101
P 00
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭サージ逆電流
Maximum SurgeReverseCurrent
せん頭サージ逆電力
Maximum SurgeReversePower
許容損失
PowerDissipation
連続印加電圧
Maximum ReverseVoltage
Tstg
Tj
IRSM
PRSM
P
10/1000μs非繰り返し
10/1000µsNon-repetitive
10/1000μs非繰り返し
10/1000µsNon-repetitive
VRM
-55~150
150
4.5
200
1
25
A
W
W
V
●電気的・熱的特性
動作開始電圧
BreakdownVoltage
制限電圧
ClampingVoltage
逆電流
ReverseCurrent
熱抵抗
ThermalResistance
ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tl=25℃/unlessotherwisespecified)
VBR IR=2mA
MIN 31.0
TYP 33.0
MAX 35.0
V
VCL 10/1000μs,IRSM=4.5A
MAX 45.0
V
IR
θjl
θja
VR=25V,
パルス測定
Pulsemeasurement
接合部・リード間,プリント基板実装
Junctiontolead,Onglass-epoxysubstrate
接合部・周囲間,プリント基板実装 160mm2
Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate160mm2
MAX 5.0
MAX 20
MAX 120
μA
℃/W
U180-p2016.02〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




ST02-33G1 pdf, 반도체, 판매, 대치품

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