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P32FG15SL 데이터시트 PDF




SHINDENGEN에서 제조한 전자 부품 P32FG15SL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P32FG15SL 자료 제공

부품번호 P32FG15SL 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 SHINDENGEN
로고 SHINDENGEN 로고


P32FG15SL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P32FG15SL 데이터시트, 핀배열, 회로
Nch PowerMOSFET
P32FG15SL
■外観図 OUTLINE
PackageFG
Unit:mm
150V32A
特長
面実装タイプ
低オン抵抗
.5V駆動
低容量
Feature
SMD
LowRON
4.5VGateDrive
LowCapacitance
32FG15SL
000 000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
150
±20
32
96
100
22
28
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=150V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=16A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=16A,VGS=10V
ID=16A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
熱抵抗
ThermalResistance
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
入力容量
InputCapacitance
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
出力容量
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
降下時間
Falltime
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
VTH ID=1mA,VDS=10V
VSD
θjc
IS=32A,VGS=0V
接合部・ケース間
Junctiontocase
Qg
Qgs VDD=120V,VGS=10V,ID=32A
Qgd
Ciss
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
Coss
td(on)
tr ID=16A,RL=4.69Ω,VDD=75V,Rg=0Ω,
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
tf
trr
Qrr
IF=32A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
150
12
1.5
24
32
34
2.0
72
13
19
3530
95
195
8
15
45
30
73
210
1
±0.1
40
45
2.5
1.5
1.25
V
μA
μA
S
V
℃/W
nC
pF
ns
ns
nC
MOS-p2014.09〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




P32FG15SL pdf, 반도체, 판매, 대치품

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