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AP0203GMT-L 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP0203GMT-L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP0203GMT-L 자료 제공

부품번호 AP0203GMT-L 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP0203GMT-L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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AP0203GMT-L 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP0203GMT-L
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
D
SO-8 Compatible with Heatsink
Low On-resistance
G
RoHS Compliant & Halogen-Free
S
Description
AP0203 series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The PMPAK ® 5x6L package is special for DC-DC converters
application and the foot print is compatible with SO-8 with backside
heat sink and lower profile.
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
2.2mΩ
155A
D
D
D
D
S
S
S
G
PMPAK® 5x6L
Absolute Maximum Ratings@Tj=25oC. (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TA=25
ID@TA=70
IDM
PD@TC=25
PD@TA=25
EAS
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Chip)
Drain Current, VGS @ 10V3
Drain Current, VGS @ 10V3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy4
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
30
+20
155
38
30
300
83.3
5
28.8
-55 to 150
-55 to 150
V
V
A
A
A
A
W
W
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient3
Data & specifications subject to change without notice
Value
1.5
25
Units
/W
/W
1
201604271




AP0203GMT-L pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP0203GMT-L
10
I D =20A
8
6
V DS =15V
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
4000
3000
C iss
2000
1000
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1000
Operation in this
area limited by
100 RDS(ON)
100us
1ms
10
T C =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
DC
1
0.01
0.1
1
10 100
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
. 0.02
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + Tc
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
4.5V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP0203GMT-L.PDF 데이터시트 ]

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