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BD239B 데이터시트 PDF




Bourns에서 제조한 전자 부품 BD239B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BD239B 자료 제공

부품번호 BD239B 기능
기능 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
제조업체 Bourns
로고 Bourns 로고


BD239B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BD239B 데이터시트, 핀배열, 회로
BD239, BD239A, BD239B, BD239C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Designed for Complementary Use with the
BD240 Series
30 W at 25°C Case Temperature
2 A Continuous Collector Current
4 A Peak Collector Current
Customer-Specified Selections Available
TO-220 PACKAGE
(TOP VIEW)
B1
C2
E3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.
MDTRACA
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)
RATING
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-emitter voltage (RBE = 100 )
Collector-emitter voltage (IC = 30 mA)
Emitter-base voltage
Continuous collector current
Peak collector current (see Note 1)
Continuous base current
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)
Unclamped inductive load energy (see Note 4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds
BD239
BD239A
BD239B
BD239C
BD239
BD239A
BD239B
BD239C
VCER
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
Ptot
Ptot
½LIC2
Tj
Tstg
TL
55
70
90
115
45
60
80
100
5
2
4
0.6
30
2
32
-65 to +150
-65 to +150
250
V
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
NOTES: 1. This value applies for tp 0.3 ms, duty cycle 10%.
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.24 W/°C.
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 ,
VBE(off) = 0, RS = 0.1 , VCC = 20 V.
PRODUCT INFORMATION
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
1




BD239B pdf, 반도체, 판매, 대치품
BD239, BD239A, BD239B, BD239C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
SAS631AE
tp = 300 µs, d = 0.1 = 10%
tp = 1 ms, d = 0.1 = 10%
tp = 10 ms, d = 0.1 = 10%
10 DC Operation
1·0
0·1
0·01
1·0
BD239
BD239A
BD239B
BD239C
10 100
VCE - Collector-Emitter Voltage - V
Figure 4.
THERMAL INFORMATION
1000
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
TIS631AB
40
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150
TC - Case Temperature - °C
Figure 5.
PRODUCT INFORMATION
4
JUNE 1973 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.

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