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부품번호 | 2N5771 기능 |
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기능 | SWITCHING TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
@Tota^ Device Dissipation Ta = 25°C
Derate above 25°C
@Total Device Dissipation Tc = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Lead Temperature
Symbol
vCEO
vCBO
VEBO
'C
PD
Pd
TJ- Tstg
Value
15
15
4.5
50
0.625
1.0
-55 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Watts
mW/°C
Watt
mW/°C
°C
TL 260 °c
2N5771
CASE 29-02, STYLE 1
TO-92 (TO-226AA)
SWITCHING TRANSISTOR
PNP SILICON
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage dc = 3.0 mA)(1)
Collector-Emitter Breakdown Voltage dc = 100 /xA)
Collector-Base Breakdown Voltage dc = 100 vA)
Emitter-Base Breakdown Voltage 0e = 100 /uA)
Collector Cutoff Current (Vqb = 8.0 Vdc)
Collector Cutoff Current (Vce = 8.0 Vdc)
(Vce = 8.0 Vdc, TA = 125°C)
Emitter Cutoff Current (Vbe = 4.5 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dc = 1.0 mA, Vqe = 0.5 Vdc)(1)
dC = 10 mA, Vce = 0.3Vdc)(1)
dC = 50 mA, Vce = 10Vdc)(1)
c(l = 10 mA, Vce = 0.3 Vdc, Ta = -55°C)
Collector-Emitter Saturation Voltage(l)
dc = 1.0 mA, Ib = 0.1 mA)
dC = 10 mA, Bl = 1.0 mA)
dC = 50 mA, Ib = 5.0 mA)
Base-Emitter Saturation Voltage(l)
(lc = 1-0 mA, Ib = 0.1 mA)
dC = 10 mA, Ib = 1.0 mA)
dC = 50 mA, Ib = 5.0 mA)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Collector-Base Capacitance
(Vcb = 5.0 Vdc, f = 140 kHz)
Emitter-Base Capacitance
(Vbe = 0.5 Vdc, f = 140 kHz)
Small-Signal Current Gain
dC = 10 mA, Vce = 10 Vdc, f = 100 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Storage Time
mAdC = 10 mA, Ibi =» lB2 °* 10
>
Turn-On Time
dC = 10 mA, Bl = 1.0 mA)
Turn-Off Time
mAdc == 10 mA, Ibi = Ib2 = 1 -°
'
(1) Pulse Conditions: Pulse Length = 300 fis, Duty Cycle = 1.0%.
Symbol
v (BR)CEO
V (BR)CES
v (BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
! CES
'EBO
hFE
v CE(sat)
Min
15
15
15
4.5
—
-
35
50
40
20
:
VBE(sat)
Ccb
ceb
hfe
ts
l on
toff
0.75
—
—
8.5
—
—
—
Max
—
—
—
—
10
10
5.0
1.0
120
0.15
0.18
0.6
0.8
0.95
1.5
3.0
3.5
—
20
15
20
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
nA
nA
MA
/aA
Vdc
Vdc
PF
PF
—
ns
ns
ns
2-51
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N5770 | NPN RF Transistor | Fairchild Semiconductor |
2N5770 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | Micro Electronics |
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