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2N3250 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2N3250은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N3250 자료 제공

부품번호 2N3250 기능
기능 PNP TRANSISTORS
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


2N3250 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N3250 데이터시트, 핀배열, 회로
2N3250 2N3250A
2N3251 2N3251A
SILICON
PNP TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3250, 2N3251
series devices are silicon PNP transistors designed for
small signal, general purpose switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-18 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation
PD
Power Dissipation (TC=25°C)
PD
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
Thermal Resistance
JC
Thermal Resistance
JA
2N3250
2N3251
50
2N3250A
2N3251A
60
40 60
5.0
200
360
1.2
-65 to +200
146
486
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
ICEV
VCE=40V, VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA (2N3250, 2N3251)
50
BVCBO
IC=10μA (2N3250A, 2N3251A)
60
BVCEO
IC=10mA (2N3250, 2N3251)
40
BVCEO
IC=10mA (2N3250A, 2N3251A)
60
BVEBO
IE=10μA
5.0
VCE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
VBE(SAT) IC=10mA, IB=1.0mA
0.60
VBE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
MAX
20
0.25
0.50
0.90
1.20
hFE VCE=1.0V, IC=0.1mA
hFE VCE=1.0V, IC=1.0mA
hFE VCE=1.0V, IC=10mA
hFE VCE=1.0V, IC=50mA
2N3250
2N3250A
MIN MAX
40 -
45 -
50 150
15 -
2N3251
2N3251A
MIN MAX
80 -
90 -
100 300
30 -
UNITS
V
V
V
mA
mW
W
°C
°C/W
°C/W
UNITS
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
R1 (4-March 2014)





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