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부품번호 | BDB01A 기능 |
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기능 | ONE WATT AMPLIFIER TRANSISTORS | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol BDB BDB BDB BDB Unit
01 A 01 01C 01
Collector-Emitter Voltage
VCEO 45 60 80 100 Vdc
Collector-Base Voltage
VCES 45 60 80 100 Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current - Continuous
ic
0.5 Adc
Total Device Dissipation @Ta = 25°C
Derate above 25°C
PD
1 .0 Watt
8.0 mW/°C
@Total Device Dissipation Tq = 25°C
Derate above 25°C
pd
2.5 Watt
20 mW/°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Tj, T s tg
-55 to +150
°C
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RwJC
50 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient RyJC
V25 ,°C/W
BDB01A
Thru
BDB01D
CASE 29-03, STYLE 1
TO-92 (TO-226AE)
ONE WATT
AMPLIFIER TRANSISTORS
NPN SILICON
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 °C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
dC = 10 mA, Ib = 0)
BDB01A
BDB01B
BDB01C
BDB01D
Collector Cutoff Current
(V C B = 45 V, El = 0)
(V C B = 60 V, Ie = 0)
(V C B = 80 V, El = 0)
(V C B = 100 V, Ie = 0)
Emitter Cutoff Current
dC = 0, VEB = 5.0 V)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dC = 100 mA, VcE = 1 V)
dC = 500 mA, VcE = 2 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 1000 mA, Ib = 100 mA)
Collector-Emitter on Voltage
(IC = 1000 mA, Vce = 1 V)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(IC = 200 mA, Vce = 5 V, f = 100 MHz)
Output Capacitance
(VCB = 10 V, Ie = 0, f = 1 MHz)
Symbol
V(BR)CE0
ICBO
lEBO
nFE
VcE(sat)
VBE(on)
fT
Cob
Min.
45
60
80
100
40
25
50
Max.
0.1
0.1
0.1
0.1
100
400
0.7
1.2
30
Unit
Vdc
uAdc
nAdc
Vdc
Vdc
MHz
PF
2-137
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BDB01 | One Watt Amplifier Transistors | Motorola Inc |
BDB01A | ONE WATT AMPLIFIER TRANSISTORS | Motorola Semiconductors |
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