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BDB01A 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BDB01A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BDB01A 자료 제공

부품번호 BDB01A 기능
기능 ONE WATT AMPLIFIER TRANSISTORS
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


BDB01A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BDB01A 데이터시트, 핀배열, 회로
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol BDB BDB BDB BDB Unit
01 A 01 01C 01
Collector-Emitter Voltage
VCEO 45 60 80 100 Vdc
Collector-Base Voltage
VCES 45 60 80 100 Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
Vdc
Collector Current - Continuous
ic
0.5 Adc
Total Device Dissipation @Ta = 25°C
Derate above 25°C
PD
1 .0 Watt
8.0 mW/°C
@Total Device Dissipation Tq = 25°C
Derate above 25°C
pd
2.5 Watt
20 mW/°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Tj, T s tg
-55 to +150
°C
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RwJC
50 °C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient RyJC
V25 ,°C/W
BDB01A
Thru
BDB01D
CASE 29-03, STYLE 1
TO-92 (TO-226AE)
ONE WATT
AMPLIFIER TRANSISTORS
NPN SILICON
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 °C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Collector-Emitter Voltage
dC = 10 mA, Ib = 0)
BDB01A
BDB01B
BDB01C
BDB01D
Collector Cutoff Current
(V C B = 45 V, El = 0)
(V C B = 60 V, Ie = 0)
(V C B = 80 V, El = 0)
(V C B = 100 V, Ie = 0)
Emitter Cutoff Current
dC = 0, VEB = 5.0 V)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
dC = 100 mA, VcE = 1 V)
dC = 500 mA, VcE = 2 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 1000 mA, Ib = 100 mA)
Collector-Emitter on Voltage
(IC = 1000 mA, Vce = 1 V)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(IC = 200 mA, Vce = 5 V, f = 100 MHz)
Output Capacitance
(VCB = 10 V, Ie = 0, f = 1 MHz)
Symbol
V(BR)CE0
ICBO
lEBO
nFE
VcE(sat)
VBE(on)
fT
Cob
Min.
45
60
80
100
40
25
50
Max.
0.1
0.1
0.1
0.1
100
400
0.7
1.2
30
Unit
Vdc
uAdc
nAdc
Vdc
Vdc
MHz
PF
2-137





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