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BDB05 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BDB05은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BDB05 자료 제공

부품번호 BDB05 기능
기능 ONE WATT HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


BDB05 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BDB05 데이터시트, 핀배열, 회로
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
@Total Device Dissipation Ta = 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation @Tc = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
ic
PD
pd
Tj, T s tg
Symbol
R«JC
Rwc
Value
80
120
7.0
1.0
1.0
8.0
2.5
20
-55 to +150
Max
50
125
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watt
mW/°C
Watt
mW/°C
°C
Unit
°C/W
°c/w
BDB05
CASE 29-03, STYLE 1
TO-92 (TO-226AE)
ONE WATT
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
NPN SILICON
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.;
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 30 mA, Ib = 0)
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = lOOuAdc, Ic = 0)
Collector Cutoff Current
(VcB = 90 Vdc, IE = 0)
(VcB = 90 Vdc, Ie = 0, Ta = 150°C)
Emitter Cutoff Current
(Vbe = 5 Vdc, Ic = 0)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 0.1 mAdc, Vce = 10 Vdc)
(IC = 10 mAdc, Vce = 10 Vdc)
(IC = 1 50 mAdc, VcE = 10 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VcE = 10 Vdc) (1)
(IC = 1 mAdc, Vce = 10 Vdc) (1)
Collector Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 1 50 mAdc, Ib = 15 mAdc)
(IC = 500 mAdc, Ib = 50 mAdc)
Base Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 150 mAdc, Ib = 1 5 mAdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
(IC = 50 mAdc, Vce = 1 Vdc, f = 20 MHz)
Output Capacitance
(VcB = 10 Vdc, Ie = 0, f = 1 MHz)
Input Capacitance
(Vbf = 0.5 Vdc, Ic = 0, f = 1 MHz)
Small Signal Current Gain
(IC = 1 mAdc, Vce = 5 Vdc, f = 1 KHz)
(1) Pulse Test: Pulse width < 300 uS
duty cycle < 2%.
Symbol
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
lEBO
HFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
Cjb
hfe
80
120
7.0
50
90
100
50
15
100
80
Max
10
10
10
300
0.2
0.5
1.1
12
60
Vdc
Vdc
Vdc
nA
HA
nA
Vdc
Vdc
MHz
PF
pF
400
2-143





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