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2N3506 데이터시트 PDF




Microsemi에서 제조한 전자 부품 2N3506은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N3506 자료 제공

부품번호 2N3506 기능
기능 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
로고 Microsemi 로고


2N3506 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N3506 데이터시트, 핀배열, 회로
2N3506 thru 2N3507A
Available on
commercial
versions
NPN MEDIUM POWER SILICON
TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/349
DESCRIPTION
This family of 2N3506 through 2N3507A high-frequency, epitaxial planar transistors feature
low saturation voltage. These devices are also available in TO-5 and low profile U4
packaging. Microsemi also offers numerous other transistor products to meet higher and
lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and
surface-mount packages.
Qualified Levels:
JAN, JANTX and
JANTXV
Important: For the latest information, visit our website http://www.microsemi.com.
FEATURES
JEDEC registered 2N3506 through 2N3507A series.
RoHS compliant versions available (commercial grade only).
VCR(sat) = 0.5 V @ IC = 500 mA.
Rise time tr = 30 ns max @ IC = 1.5 A, IB1 = 150 mA.
Fall time tf = 35 ns max @ IC = 1.5 A, IB1 = IB2 = 150 mA.
APPLICATIONS / BENEFITS
General purpose transistors for medium power applications requiring high frequency switching and
low package profile.
Military and other high-reliability applications.
TO-39 (TO-205AD)
Package
Also available in:
TO-5 package
(long-leaded)
2N3506L – 2N3507AL
U4 package
(surface mount)
2N3506U4 – 2N3507AU4
MAXIMUM RATINGS
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Thermal Resistance Junction-to-Ambient
Thermal Resistance Junction-to-Case
Collector Current
Total Power Dissipation
@ TA = +25 °C (1)
@ TC = +110 °C (2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
Symbol
V CEO
V CBO
V EBO
R ӨJA
R ӨJC
IC
PD
TJ, Tstg
2N3506 2N3507
40 50
60 80
5.0
175
18
3.0
1.0
5.0
-65 to +200
Notes: 1. Derate linearly 5.71 mW/°C for TA > +25 °C.
2. Derate linearly 55.5 mW/°C for TC > +110 °C.
Unit
V
V
V
oC/W
oC/W
A
W
°C
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
T4-LDS-0016, Rev. 2 (111682)
©2011 Microsemi Corporation
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2N3506 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2N3506 thru 2N3507A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Parameters / Test Conditions
Magnitude of Common Emitter Small-Signal Short-
Circuit Forward Current Transfer Ratio
IC = 100 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHz
Input Capacitance
VEB = 3.0 V, IC = 0, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS (2)
Parameters / Test Conditions
Delay Time
IC = 1.5 A, IB1 = 150 mA
Rise Time
IC = 1.5 A, IB1 = 150 mA
Storage Time
IC = 1.5 A, IB1 = IB2 = 150 mA
Fall Time
IC = 1.5 A, IB1 = IB2 = 150 mA
Symbol Min. Max.
|hfe| 3.0 15
C obo
C ibo
40
300
Symbol
td
Min.
Max.
15
tr 30
ts 55
tf 35
Unit
pF
pF
Unit
ns
ns
ns
ns
(2) Consult MIL-PRF-19500/349 for additional infornation.
T4-LDS-0016, Rev. 2 (111682)
©2011 Microsemi Corporation
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