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부품번호 | 2N3509 기능 |
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기능 | SWITCHING TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (10 /xs pulse) (Peak)
@Total Device Dissipation Ta = 25°C
Derate above 25°C
@Total Device Dissipation Tc = 25°C
Derate above 2S°C
Operating and Storage Temperature
Temperature Range
Symbol
VCEO
VCES
VCBO
v EBO
ic
PD
Pd
Tj. Tstg
Value
20
40
40
6.0
500
0.40
2.29
2.0
11.43
- 65 to + 200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Watt
mW/°C
Watts
mW/°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
R<uc
R&JA
Max
0.0875
0.438
Unit
°c/w
°c/w
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 10 /<Adc, Bl = 0)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (1)
c(l = 10 mAdc)
Collector-Emitter Voltage
(IC = 10 /iAdc, Bl = 0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 10 /xAdc, lc = 0)
Collector Cutoff Current
(VC E = 20 Vdc, VEB(off) = 3-0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(VC B = 20 Vdc)
(Vcb = 20 Vdc, Ta = 150°C)
Both Types
2N3508
2N3509
Base Cutoff Current
(VCe = 20 Vdc, VEB(off) - 3.0 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
c(l = 10 mAdc, Vce = 1-0 Vdc)
2N3508
2N3509
C(l = 10 mAdc, VCe = 10 Vdc, Ta = -55°C)
2N3508
2N3509
(IC = 100 mAdc, Vce = 10 vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage (1)
(lC = 10 mAdc, Ib = 1.0 mAdc)
c(l = 100 mAdc, Ib = 10 mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage (1)
(lC = 10 mAdc, Ib = 1.0 mAdc)
(lC = 100 mAdc, Ib = 10 mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, El = 0, f = 140 kHz)
2N3508
2N3509
2N3508
2N3509
CASE 26, STYLE 1
TO-46 (TO-206AB)
SWITCHING TRANSISTOR
NPN SILICON
Refer to 2N2368 for graphs.
Symbol
v (BR)CBO
v (BR)CEO
V (BR)CES
v (BR)EBO
>CEX
!CBO
20
•BL
Max
Unit
Vdc
Vdc
0.2 /xAdc
yxAdc
0.2
30
50
nAdc
hFE
VcE(sat)
40
100
20
40
20
30
VBE(sat)
C bo
0.70
0.8
120
300
0.25
0.45
0.85
1.4
Vdc
PF
4-101
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N3500 | Type 2N3500 Geometry 5620 Polarity NPN | Semicoa Semiconductor |
2N3500 | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) | Boca Semiconductor Corporation |
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