Datasheet.kr   

2N5022 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 2N5022은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N5022 자료 제공

부품번호 2N5022 기능
기능 GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


2N5022 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2N5022 데이터시트, 핀배열, 회로
2NS022
2N5023
CASE 079-02, STYLE 1
TO-39 (TO-205AD)
GENERAL PURPOSE
TRANSISTOR
PNP SILICON
Refer to 2N3467 for graphs.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current Continuous
(Pulse Width = 300 /xs, DC = 1%)
@Total Device Dissipation T^ = 25°C
Derate above 25°C
@Total Device Dissipation Tq = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Maximum Lead Temperature
(Soldering, 60 sec max)
Symbol
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
'C
2N5022 2N5023
50 30
50 30
50 30
5
1.0*
Unit
V
V
V
V
A
PD
Pd
TJ' Tstg
tl
1.0
5.72
4.0
22.8
- 65 to + 200
+ 300
Watts
mW/°C
Watts
mW/°C
X
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Thermal Resistance, Junction to Case
R&jc
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R&JA
•Indicates Data in Addition to JEDEC Requirements.
Max
43.8
175
Unit
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.:
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage
dC = 100 jitAdc)
2N5022
2N5023
Collector-Emitter Sustaining Voltage
dC = 10 mAdc)
Collector-Base Breakdown Voltage
dC = 100 fjtAdc)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 100 /uAdc)
Collector Cutoff Current
(Vce = 30 Vdc)
(Vce = 20 Vdc)
(Ta = 100°Cdc)
ON CHARACTERISTICS
2N5022
2N5023
2N5022
2N5023
All
2N5022
2 N 5023
DC Current Gain(1)
dC = 100 mA, Vce = 1-0 Vdc)
2N5022
2N5023
dC = 500 mA, Vce = 1-0 Vdc)
2N5022
2N5023
dC = 1.0 A, VC e = 5.0 Vdc)
2N5022
2N5023
dC = 500 ma, VC £ = 1.0 V, TA = -55°C)
Collector-Emitter Saturation Voltaged)
dC = 100 mAdc, Bl = 10 mAdc)
2N5022
2N5023
2N5022
2N5023
dC = 5Q0 mAdc, lg = 50 mAdc)
2N5022
2N5023
dC = 1.0 Adc, Ib = 100 mAdc)
2N5022
2N5023
Symbol
Min
V (BR)CES
v (BR)CEO(sus)*
v (BR)CBO
v(BR)EBO
!CES
50
30
50
30
50
30
5.0
-
hFE
VCE(sat)
15
30
25
40
25
40
10
20
-
-
-
-
-
-
-
100
15
-
100
100
-
0.20
0.17
0.40
0.35
0.80
0.70
Unit
V
V
V
V
nA
-
V
V
V
4-180





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ 2N5022.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2N5020

P-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

InterFET Corporation
InterFET Corporation
2N5020

(2N5xxx) JFET

Taitron Components
Taitron Components

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵