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부품번호 | 2N6211 기능 |
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기능 | SILICON PNP POWER TRANSISTORS | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
2N6211
2N6212
2N6213
SILICON
PNP POWER TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6211, 2N6212,
and 2N6213 are silicon PNP transistors designed
for high speed switching and high voltage amplifier
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-66 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
JC
2N6211
275
225
2N6212
350
300
6.0
2.0
5.0
1.0
35
-65 to +200
5.0
2N6213
400
350
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
2N6211
2N6212
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN MAX
MIN MAX
ICEV
VCE=250V, VBE=1.5V
- 0.5
--
ICEV
VCE=315V, VBE=1.5V
--
- 0.5
ICEV
VCE=360V, VBE=1.5V
--
--
ICEV
VCE=250V, VBE=1.5V, TC=100°C
- 5.0
--
ICEV
VCE=315V, VBE=1.5V, TC=100°C
--
- 5.0
ICEV
VCE=360V, VBE=1.5V, TC=100°C
--
--
ICEO
VCE=150V
- 5.0
- 5.0
IEBO
VEB=6.0V
- 1.0
- 0.5
BVCEV
IC=50mA, VBE=1.5V, L=10mH
275 -
350 -
BVCER
IC=50mA, RBE=50Ω
250 -
325 -
BVCEO
IC=50mA
225 -
300 -
BVEBO
IE=1.0mA
6.0 -
--
BVEBO
IE=0.5mA
--
6.0 -
VCE(SAT) IC=1.0A, IB=125mA
- 1.4
- 1.6
VBE(SAT) IC=1.0A, IB=125mA
- 1.4
- 1.4
hFE VCE=2.8V, IC=1.0A
10 100
--
hFE VCE=3.2V, IC=1.0A
--
10 100
hFE VCE=4.0V, IC=1.0A
--
--
2N6213
MIN MAX
--
--
- 0.5
--
--
- 5.0
- 5.0
- 0.5
400 -
375 -
350 -
--
6.0 -
- 2.0
- 1.4
--
--
10 100
UNITS
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
R3 (11-November 2015)
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N6211 | POWER TRANSISTORS(2A/ 35W) | Mospec Semiconductor |
2N6211 | MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORS | Boca Semiconductor Corporation |
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