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부품번호 | MMBTA63 기능 |
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기능 | DARLINGTON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
Symbol
V CES
vCBO
v EBO
c
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
•Total Device Dissipation, Ta = 25°C
Derate above 25°C
PD
Storage Temperature
Tstq
•Thermal Resistance Junction to Ambient
R&JA
•Package mounted on 99.5% alumina 10 x 8 x 0.6 mm.
Value
30
30
10
500
Max
350
2.8
150
357
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Unit
mW
mW/X
°C
°c/w
MMBTA63
MMBTA64
CASE 318-02/03, STYLE 6
SOT-23 (TO-236AA/AB)
DARLINGTON TRANSISTOR
PNP SILICON
Refer to MPSA75 for graphs.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C unless otherwise noted.;
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
c(l = 100 /iAdc)
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc >
Emitter Cutoff Current
(V B E = 10 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current GainO)
c(l = 10 mAdc, Vqe = 5.0 Vdc)
c(l = 10 mAdc, Vce = 5.0 Vdc)
c(l = 100 mAdc, VC e = 5.0 Vdc)
c(l = 1000 mAdc, Vqe = 5.0 Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
OC = 100 mAdc, Ib = 0-1 mAdc)
Base-Emitter On Voltage
QC = 100 mAdc, Vce ' 5.0 Vdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
—Current-Gain Bandwidth Product
c(l = 10 mAdc, Vce = 50 Vdc, f = 100 MHz)
(1) Pulse Test: Pulse Width =s 300 ^s. Duty Cycle « 2.0%.
MMBTA63
MMBTA64
MMBTA63
MMBTA64
Symbol
V(BR)CES
!CBO
'EBO
hFE
VcE(sat)
v BE(on)
h
30
5,000
10,000
10,000
20,000
125
Max
100
nAdc
Vdc
Vdc
3-109
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MMBTA63 | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor | SEMTECH |
MMBTA63 | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR | TRSYS |
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