|
|
|
부품번호 | 2N2060M 기능 |
|
|
기능 | SILICON DUAL NPN TRANSISTOR | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
2N2060M
SILICON
DUAL NPN TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2060M is a silicon
dual NPN transistor utilizing two individual chips mounted
in a hermetically sealed metal case designed for
differential amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-78 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCER
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Continuous Collector Current
IC
Power Dissipation (One Die)
PD
Power Dissipation (Both Dice)
PD
Power Dissipation (One Die, TC=25°C)
PD
Power Dissipation (Both Dice, TC=25°C)
PD
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
100
80
60
7.0
500
500
600
1.5
3.0
-65 to +200
UNITS
V
V
V
V
mA
mW
mW
W
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN MAX
ICBO
VCB=80V
2.0
IEBO
VEB=5.0V
2.0
BVCBO
IC=100μA
100
BVCER
IC=10mA, RBE=10Ω
80
BVCEO
IC=30mA
60
BVEBO
IE=100μA
7.0
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
1.2
VBE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
0.9
hFE VCE=5.0V, IC=10μA
25 150
hFE VCE=5.0V, IC=100μA
30 150
hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA
40 150
hFE VCE=5.0V, IC=10mA
50 200
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=20MHz
60
Cob VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
15
Cib VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
85
NF VCE=10V, IC=300μA, RS=510Ω,
f=1.0kHz, BW=200Hz
8.0
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB
R1 (2-December 2013)
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2N2060M.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N2060 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR | Motorola Semiconductors |
2N2060 | DUAL MATCHED NPN SILICON TRANSISTOR | TT |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |