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부품번호 | MXTA64 기능 |
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기능 | DARLINGTON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Motorola Semiconductors | ||
로고 | |||
MXTA64
CASE 345-01, STYLE 1
SOT-89
DARLINGTON TRANSISTOR
PNP SILICON
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
—Collector Current Continuous
Symbol
VCES
v CBO
v EBO
'C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
*Total Device Dissipation, Ta = 25°C
Derate above 25°C
Symbol
PD
Storage Temperature
Tstg
Thermal Resistance Junction to Ambient
R&JA
'Package mounted on 99.5% alumina 10 x 12 x 0.6 mm.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C unless otherwise noted.
OFF CHARACTERISTICS
Characteristic
Collector-Emitter Breakdown Voltage
OC = 100 tiA)
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc)
Emitter Cutoff Current
(Vbe = 10 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
OC = 10 mA, V C e = 5.0 Vdc)(1)
«C = 100 mA, V C E = 5.0 Vdc)(1)
Collector-Emitter Saturation Voltage
OC = 100 mA, Bl = 0.1 mA)(1)
Base-Emitter On Voltage
dp = 100 mA, Vqe = 5.0Vdc)(1)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
—Current-Gain Bandwidth Product
(VCE = 5.0 Vdc, lc = 100 mA, f = 100 MHz)
(1) Pulse Width =s 300 /xs. Duty Cycle =s 2.0%.
Symbol
V (BR)CES
!CBO
lEBO
30
—
—
hFE
VcE(sat)
v BE(c
10000
20000
Value
30
30
10
300
Max
1.0
8.0
150
125
-
100
100
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Unit
Watt
mW/°C
°C
°C/W
Unit
Vdc
nA
nAc
Vdc
Vdc
3-132
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MXTA64 | DARLINGTON TRANSISTOR | Motorola Semiconductors |
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